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1. (WO2016012745) PROCÉDÉ DE CONCEPTION DE LENTILLE ET SUBSTRAT DE SOURCE DE RAYONNEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/012745    N° de la demande internationale :    PCT/GB2015/050788
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 18.03.2015
CIB :
H01Q 15/10 (2006.01), H01Q 19/06 (2006.01), H01Q 15/00 (2006.01)
Déposants : BAE SYSTEMS PLC [GB/GB]; 6 Carlton Gardens London SW1Y 5AD (GB)
Inventeurs : HAO, Yang; (GB)
Mandataire : BAE SYSTEMS PLC, GROUP IP DEPT; PO Box 87, Farnborough Aerospace Centre Farnborough Hampshire GU14 6YU (GB)
Données relatives à la priorité :
1413125.4 24.07.2014 GB
Titre (EN) LENS DESIGN METHOD AND RADIATION SOURCE SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE CONCEPTION DE LENTILLE ET SUBSTRAT DE SOURCE DE RAYONNEMENT
Abrégé : front page image
(EN)A lens design method is disclosed for designing a lens to reshape an actual far-field radiation pattern of a radiation source, such as a spiral antenna, to a preferred far-field radiation pattern. The method comprises: - determining a preferred far-field radiation pattern of the radiation source; - deriving a corresponding near-field radiation pattern from the preferred far-field radiation pattern; - determining an actual near-field pattern of the radiation source; - mapping an electric field and a magnetic field of the actual near-field radiation pattern to the derived near-field radiation pattern using a transfer relationship, the transfer relationship comprising material parameters which characterise the lens; and, - determining the material parameters.
(FR)L'invention concerne un procédé de conception de lentille pour concevoir une lentille permettant de remodeler un diagramme de rayonnement en champ lointain réel d'une source de rayonnement, telle qu'une antenne en spirale, en un diagramme de rayonnement en champ lointain préféré. Le procédé consiste : - à déterminer un diagramme de rayonnement en champ lointain préféré de la source de rayonnement ; - à calculer un diagramme de rayonnement en champ proche correspondant à partir du diagramme de rayonnement en champ lointain préféré ; - à déterminer un diagramme de rayonnement en champ proche réel de la source de rayonnement ; - à faire correspondre un champ électrique et un champ magnétique du diagramme de rayonnement en champ proche réel au diagramme de rayonnement en champ proche calculé à l'aide d'une relation de transfert, la relation de transfert comprenant des paramètres matériels qui caractérisent la lentille ; et - à déterminer les paramètres matériels.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)