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1. (WO2016011972) DISPOSITIF À ÉNERGIE IMPULSIONNELLE BASÉ SUR UNE LIGNE MONOLITHIQUE EN CÉRAMIQUE ANNULAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/011972 N° de la demande internationale : PCT/CN2015/085020
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 24.07.2015
CIB :
H03K 3/53 (2006.01) ,H03K 5/04 (2006.01)
Déposants : INSTITUTE OF APPLIED ELECTRONICS, CAEP[CN/CN]; No. 64, Mianshan Road Mianyang, Sichuan 621900, CN
Inventeurs : XU, Zhou; CN
TAN, Jie; CN
LUO, Min; CN
WANG, Peng; CN
KANG, Qiang; CN
LI, Mingjia; CN
Mandataire : CHINA TRADEMARK & PATENT LAW OFFICE CO., LTD.; 14, Yuetan Nanjie, Yuexin Bldg., Xicheng District Beijing 100045, CN
Données relatives à la priorité :
201410356613.925.07.2014CN
201420412896.X25.07.2014CN
Titre (EN) PULSE POWER DEVICE BASED ON ANNULAR CERAMIC SOLID STATE LINE
(FR) DISPOSITIF À ÉNERGIE IMPULSIONNELLE BASÉ SUR UNE LIGNE MONOLITHIQUE EN CÉRAMIQUE ANNULAIRE
(ZH) 一种基于环形陶瓷固态线的脉冲功率装置
Abrégé : front page image
(EN) A pulse power device based on an annular ceramic solid state line. The pulse power device comprises several pulse forming lines (2), two charging inductors (1), and several gas switches that are connected as a whole based on Marx voltage superposition. The pulse forming lines (2) are annular pulse forming lines (2), and the annular surface of each annular pulse forming line (2) is provided with one gas switch. The annular pulse forming lines (2) are successively superposed together to form a column structure through the gas switches. Each charging inductor (1) passes through the inner ring of each annular pulse forming line (2) to be disposed inside the column structure. An annular insulation plate (3) is disposed between every two annular pulse forming lines (2).
(FR) L'invention concerne un dispositif à énergie impulsionnelle basé sur une ligne monolithique en céramique annulaire. Le dispositif à énergie impulsionnelle comprend plusieurs lignes de formation d'impulsions (2), deux inductances de charge (1) et plusieurs commutateurs à gaz qui sont branchés en tant qu'ensemble basé sur la superposition de tension de Marx. Les lignes de formation d'impulsions (2) sont des lignes de formation d'impulsions annulaires (2) et la surface annulaire de chaque lignes de formation d'impulsions annulaire (2) est pourvue d'un commutateur à gaz. Les lignes de formation d'impulsions annulaires (2) sont successivement superposées les unes aux autres pour former une structure en colonne à travers les commutateurs à gaz. Chaque inductance de charge (1) passe à travers la bague interne de chaque ligne de formation d'impulsions annulaire (2) à disposer à l'intérieur de la structure en colonne. Une plaque d'isolation annulaire (3) est disposée entre chaque paire de lignes de formation d'impulsions annulaires (2).
(ZH) 一种基于环形陶瓷固态线的脉冲功率装置,包括若干个脉冲形成线(2)、两根充电电感(1)、若干个气体开关,其基于Marx电压叠加连接为一体;脉冲形成线(2)为环形脉冲形成线(2),每一个环形脉冲形成线(2)的环形表面设置有一个气体开关;所述环形脉冲形成线(2)通过气体开关依次叠加在一起形成一个柱形结构,所述充电电感(1)穿过环形脉冲形成线(2)的内环设置在柱形结构的内部,所述每两个环形脉冲形成线(2)之间设置有环形绝缘板(3)。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)