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1. (WO2016011924) STRUCTURE ÉPITAXIALE POUR AMÉLIORER LA CHUTE DE RENDEMENT DES LED À BASE DE GaN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/011924 N° de la demande internationale : PCT/CN2015/084486
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 20.07.2015
CIB :
H01L 33/26 (2010.01) ,H01L 33/06 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
26
Matériaux de la région électroluminescente
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
04
ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
06
au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
Déposants : ENRAYTEK OPTOELECTRONICS CO., LTD.[CN/CN]; 1889 Hongyin Road, Lingang Industry Park, Pudong New Area Shanghai 201306, CN
Inventeurs : JU, Jing; CN
MA, Houyong; CN
LI, Qiming; CN
XU, Huiwen; CN
SUN, Chuanping; CN
Mandataire : SHANGHAI SAVVY INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY; Room 341, Building 1 789 West Tianshan Road, Changning District Shanghai 200335, CN
Données relatives à la priorité :
201410356966.924.07.2014CN
Titre (EN) EPITAXIAL STRUCTURE FOR IMPROVING EFFICIENCY DROP OF GaN-BASED LED
(FR) STRUCTURE ÉPITAXIALE POUR AMÉLIORER LA CHUTE DE RENDEMENT DES LED À BASE DE GaN
(ZH) 一种改善GaN基LED效率下降的外延结构
Abrégé :
(EN) Proposed is an epitaxial structure for improving the efficiency drop of an LED. The epitaxial structure comprises a substrate (10), and a GaN underlying layer, a superlattice stress relief layer (50), a multi-quantum well layer (60), a P-type InGaN insertion layer (70), a P-type electron blocking layer (80) and a P-shaped GaN layer (90) which are stacked in sequence on the substrate. The P-type InGaN insertion layer (70) is inserted between the last potential barrier of the multi-quantum well layer (60) and the P-type electron blocking layer (80), an In component of the P-type InGaN insertion layer (70) gradually increases from close to the multi-quantum well layer (60) to the electron blocking layer (80) and uses pulsed Mg-doping. As such, leakage of electrons to a P end can be reduced, and at the other hand, injection from a hole to an active region can be enhanced. The problem of the efficiency drop of a GaN-based LED can be solved, and the luminescence efficiency at a large current condition can be improved.
(FR) L'invention concerne une structure épitaxiale destinée à améliorer la chute de rendement d'une LED. La structure épitaxiale comprend un substrat (10) et une couche sous-jacente en GaN, une couche de détente des contraintes (50) en superréseau, une couche à puits quantiques multiples (60), une couche d'insertion en InGaN de type P (70), une couche de blocage d'électrons de type P (80) et une couche en GaN en forme de P (90) qui sont empilées séquentiellement sur le substrat. La couche d'insertion en InGaN de type-P (70) est insérée entre la dernière barrière de potentiel de la couche à puits quantiques multiples (60) et la couche de blocage d'électrons de type P (80), une composante In de la couche d'insertion en InGaN de type P (70) augmente progressivement à partir de la proximité de la couche à puits quantiques multiples (60) vers la couche de blocage d'électrons (80) et utilise un dopage Mg pulsé. La fuite des électrons vers une extrémité P peut ainsi être réduite et, d'un autre côté, l'injection depuis un trou vers une région active peut être améliorée. Le problème de la chute de rendement des LED à base de GaN peut être résolu, et le rendement lumineux dans une situation de courant fort peut être amélioré.
(ZH) 提出了一种改善LED效率下降的外延结构,包括衬底(10)和依次堆叠在衬底上的GaN底层、超晶格应力释放层(50)、多量子阱层(60)、P型InGaN插入层(70)、P型电子阻挡层(80)以及P型GaN层(90)。在多量子阱层(60)最后一个势垒和P型电子阻挡层(80)之间插入一层P型InGaN插入层(70),P型InGaN插入层(70)的In组分从靠近多量子阱层(60)到电子阻挡层(80)由小到大渐变,且采用脉冲式的镁掺杂。由此,可以减少电子向P端的泄露,另一方面可以增强空穴向有源区的注入。可以改善GaN基LED效率下降的问题,提高大电流条件下的发光效率。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)