WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Options
Langue d'interrogation
Stemming/Racinisation
Trier par:
Nombre de réponses par page
Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2016011810) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/011810 N° de la demande internationale : PCT/CN2015/073465
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 02.03.2015
CIB :
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/10 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
10
ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
Déposants : XIAMEN SANAN OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.[CN/CN]; CN
Inventeurs : HSIEH, Hsiang-lin; CN
XU, Zhibo; CN
LEE, Cheng-hung; CN
LIN, Chan-chan; CN
CHUO, Chang-cheng; CN
CHANG, Chia-hung; CN
Données relatives à la priorité :
201410354965.024.07.2014CN
Titre (EN) METHOD FOR PREPARING NITRIDE SEMICONDUCTOR
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE
(ZH) 一种氮化物半导体的制备方法
Abrégé :
(EN) A method for preparing a nitride semiconductor, by depositing an AlxInyGa1-x-yN material layer by the CVD method between an AlN thin film layer by the PVD method and a gallium nitride series layer by the CVD method, the use of the material layer can reduce the stress effect between the AlN thin film layer and the gallium nitride series layer, improves the whole quality of a light-emitting diode, and thereby improves the light-emitting efficiency.
(FR) La présente invention porte sur un procédé de préparation de semi-conducteur de nitrure, par dépôt d'une couche de matière d'AlxInyGa1-x-yN par le procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) entre une couche de film mince d'AlN par le procédé de dépôt physique en phase vapeur (PVD) et une couche en série de nitrure de gallium par le procédé CVD, l'utilisation de la couche de matière pouvant réduire l'effet de contrainte entre la couche de film mince d'AlN et la couche en série de nitrure de gallium, améliorant la qualité totale d'une diode électroluminescente et, ainsi, l'efficacité d'émission de lumière.
(ZH) 一种氮化物半导体的制备方法,通过在PVD法AlN薄膜层与CVD法氮化镓系列层之间沉积一CVD法Al xIn yGa 1-x-yN材料层,利用该材料层可减小AlN薄膜层与氮化镓系列层之间的应力作用,改善发光二极管的整体质量,从而改善发光效率。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)