WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016011609) SOURCE DE LUMIÈRE À LED ET LAMPE À LED
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/011609    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/082783
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 23.07.2014
CIB :
H01L 33/52 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01), F21S 2/00 (2006.01), F21Y 101/02 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN GOYM PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY CO., LTD [CN/CN]; 5F, 9 Building Henglong Industrial Park, The fourth industrial zone Shuitian Village,Shiyan street, Bao'an District Shenzhen City, Guangdong 518108 (CN)
Inventeurs : DU, Tony; (CN)
Mandataire : DHC IP ATTORNEYS; Suite 309,Merchant Bureau Development Centre No.1063 Nanhai Avenue, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518067 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) LED LIGHT SOURCE AND LED LAMP
(FR) SOURCE DE LUMIÈRE À LED ET LAMPE À LED
(ZH) 一种LED光源及LED灯
Abrégé : front page image
(EN)An LED light source and an LED lamp. The LED lamp comprises the LED light source. The LED light source comprises a light-emitting unit and an encapsulation layer. The light-emitting unit comprises a substrate, and an epitaxial structure (A1), a first connecting unit and a second connecting unit manufactured on the substrate. The epitaxial structure (A1) is provided with at least one end portion N-type semiconductor layer and at least one end portion P-type semiconductor layer. The first connecting unit is electrically connected to each end portion N-type semiconductor layer, the second connecting unit is electrically connected to each end portion P-type semiconductor layer, and the first and second connecting units are also used for accessing an external circuit. The encapsulation layer (220) is obtained by performing adhesive sealing on the light-emitting unit on a portion of the light-emitting unit excluding areas connecting the first and second connecting units to the external circuit or on the whole area. The present structure solves the problems that existing LED light source structures are complex, and costs are high.
(FR)L'invention concerne une source de lumière à LED et une lampe à LED. La lampe à LED comprend la source de lumière à LED. La source de lumière à LED comprend une unité d'émission de lumière et une couche d'encapsulation. L'unité d'émission de lumière comprend un substrat et une structure épitaxiale (A1), une première unité de connexion et une deuxième unité de connexion fabriquées sur le substrat. La structure épitaxiale (A1) est pourvue d'au moins une couche en semiconducteur de type N de partie d'extrémité et au moins une couche en semiconducteur de type P de partie d'extrémité. La première unité de connexion est reliée électriquement à chaque couche en semiconducteur de type N de partie d'extrémité, la deuxième unité de connexion est reliée électriquement à chaque couche en semiconducteur de type P de partie d'extrémité, et les première et deuxième unités de connexion sont également utilisées pour accéder à un circuit externe. La couche d'encapsulation (220) est obtenue en effectuant un scellement adhésif sur l'unité d'émission de lumière sur une partie de l'unité d'émission de lumière excluant les zones qui relient les première et deuxième unités de connexion au circuit externe ou sur la totalité de la surface. La structure selon la présente invention permet de résoudre les problèmes de complexité et de coûts élevés des structures de source de lumière à LED existantes.
(ZH)一种LED光源及LED灯。LED灯包括LED光源。LED光源包括发光单元和封装层。发光单元包括衬底、在衬底上制作的外延结构(A1)、第一连接单元、以及第二连接单元。外延结构(A1)具有至少一个端部N型半导体层和至少一个端部P型半导体层。第一连接单元与各端部N型半导体层电性连接,第二连接单元与各端部P型半导体层电性连接,还用于接入外部电路。封装层(220)由在发光单元上对除第一、第二连接单元与外部电路连接的区域之外的发光单元的局部或整体区域进行封胶得到。该结构解决LED光源结构复杂、成本高的问题。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)