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1. (WO2016011606) PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR SOURCE DE LUMIÈRE À DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE (DEL) ET PROCÉDÉ DE FABRICATION PAR LOTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/011606    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/082778
Date de publication : 28.01.2016 Date de dépôt international : 23.07.2014
CIB :
H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/04 (2010.01)
Déposants : SHENZHEN GOYM PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY CO., LTD [CN/CN]; 5f, 9 Building Henglong Industrial Park, The Fourth Industrial Zone Shuitian, Shiyan Street, Bao'an District Shenzhen, Guangdong 518108 (CN)
Inventeurs : DU, Tony; (CN)
Mandataire : DHC IP ATTORNEYS; Suite 309, Merchant Bureau Development Centre No.1063 Nanhai Avenue, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518067 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MANUFACTURING METHOD FOR LED LIGHT SOURCE, AND BATCH MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR SOURCE DE LUMIÈRE À DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE (DEL) ET PROCÉDÉ DE FABRICATION PAR LOTS
(ZH) LED光源的制作方法及批量制作方法
Abrégé : front page image
(EN)A manufacturing method for an LED light source, and a batch manufacturing method. The manufacturing method for the LED light source comprises manufacturing a light-emitting unit comprising a substrate, an epitaxial structure, a first connecting unit and a second connecting unit, the epitaxial structure being provided with at least one end portion N-type semiconductor layer and at least one end portion P-type semiconductor layer, the first connecting unit comprising a first connecting end (2121) electrically connected to each end portion N-type semiconductor layer, and a second connecting end (2122) accessing an external circuit, the second connecting unit comprising a third connecting end (2123) electrically connected to each end portion P-type semiconductor layer, and a fourth connecting end (2124) accessing the external circuit. The first and third connecting ends (2121, 2123) are arranged on the epitaxial structure, and the second and fourth connecting ends (2122, 2124) extend out of the epitaxial structure. Adhesive sealing is performed on the light-emitting unit on a portion excluding areas connecting the second connecting end (2122) and the fourth connecting end (2124) to the external circuit or on the whole area. The present technical solution solves the problems that existing LED encapsulation processes are cumbersome, costs are high and efficiency is low.
(FR)La présente invention porte sur un procédé de fabrication pour source de lumière à diode électroluminescente (DEL) et sur un procédé de fabrication par lots. Le procédé de fabrication pour la source de lumière à DEL comprend la fabrication d'une unité d'émission de lumière comportant un substrat, une structure épitaxiale, une première unité de connexion et une seconde unité de connexion, la structure épitaxiale étant pourvue d'au moins une couche de semi-conducteur de type N de partie d'extrémité et d'au moins une couche de semi-conducteur de type P de partie d'extrémité, la première unité de connexion comportant une première extrémité de connexion (2121) électriquement connectée à chaque couche de semi-conducteur de type N de partie d'extrémité, et une deuxième extrémité de connexion (2122) accédant à un circuit externe, la seconde unité de connexion comportant une troisième extrémité de connexion (2123) électriquement connectée à chaque couche de semi-conducteur de type P de partie d'extrémité, et une quatrième extrémité de connexion (2124) accédant au circuit externe. Les première et troisième extrémités de connexion (2121, 2123) sont agencées sur la structure épitaxiale, et les deuxième et quatrième extrémités de connexion (2122, 2124) s'étendent hors de la structure épitaxiale. Un joint d'étanchéité adhésif est exécuté sur l'unité d'émission de lumière sur une partie à l'exclusion de surfaces connectant la deuxième extrémité de connexion (2122) et la quatrième extrémité de connexion (2124) au circuit externe ou sur toute la surface. La présente invention résout les problèmes selon lesquels les procédés d'encapsulation de DEL existants sont laborieux, les coûts sont élevés et le rendement est faible.
(ZH)一种LED光源的制作及批量制作方法,LED光源的制作方法包括制作包括衬底、外延结构、第一连接单元以及第二连接单元的发光单元,外延结构具有至少一个端部N型半导体层和至少一个端部P型半导体层,第一连接单元包括与各端部N型半导体层电性连接的第一连接端(2121)、接入外部电路的第二连接端(2122),第二连接单元包括与各端部P型半导体层电性连接的第三连接端(2123)、接入外部电路的第四连接端(2124);外延结构上设置第一、三连接端(2121、2123),第二、四连接端(2122、2124)延伸出外延结构之外;在发光单元上对除第二连接端(2122)、第四连接端(2124)与外部电路的连接区域之外的局部或整体区域进行封胶。通过以上技术方案,解决现有LED封装工艺工繁琐、成本高、效率低的问题。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)