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1. (WO2016011331) COMPOSITION DE NETTOYAGE APRÈS POLISSAGE MÉCANO-CHIMIQUE ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/011331 N° de la demande internationale : PCT/US2015/040873
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 17.07.2015
CIB :
C11D 7/26 (2006.01) ,C11D 7/32 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION[US/US]; Legal Department 870 North Commons Drive Aurora, IL 60504, US
Inventeurs : IVANOV, Roman; US
KO, Cheng-yuan; US
SUN, Fred; US
Mandataire : OMHOLT, Thomas; US
Données relatives à la priorité :
62/026,06918.07.2014US
Titre (EN) CLEANING COMPOSITION FOLLOWING CMP AND METHODS RELATED THERETO
(FR) COMPOSITION DE NETTOYAGE APRÈS POLISSAGE MÉCANO-CHIMIQUE ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abrégé : front page image
(EN) The invention provides a composition for cleaning contaminants from semiconductor wafers following chemical-mechanical polishing. The cleaning composition contains a bulky protecting ligand, an organic amine, an organic inhibitor, and water. The invention also provides methods for using the cleaning composition.
(FR) Composition de nettoyage destinée à éliminer les contaminants de plaquettes de semi-conducteur après polissage mécano-chimique. Ladite composition de nettoyage contient un ligand de protection volumineux, une amine organique, un inhibiteur organique et de l'eau. L'invention concerne également des procédés d'utilisation de ladite composition de nettoyage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)