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1. (WO2016011002) INTÉGRATION PHOTONIQUE TRIDIMENSIONNELLE AVEC DES ÉLÉMENTS DE COUPLAGE DE LUMIÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/011002 N° de la demande internationale : PCT/US2015/040344
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 14.07.2015
CIB :
G02B 6/13 (2006.01)
Déposants : BIOND PHOTONICS INC.[US/US]; 228 Skillman Avenue Oceanside, NY 11572, US
Inventeurs : KLAMKIN, Jonathan; US
RISTIC, Sasa; CA
Mandataire : JONES, Michael, D.; US
Données relatives à la priorité :
62/024,37914.07.2014US
Titre (EN) 3D PHOTONIC INTEGRATION WITH LIGHT COUPLING ELEMENTS
(FR) INTÉGRATION PHOTONIQUE TRIDIMENSIONNELLE AVEC DES ÉLÉMENTS DE COUPLAGE DE LUMIÈRE
Abrégé : front page image
(EN) Methods for realizing integrated lasers and photonic integrated circuits on complimentary metal-oxide semiconductor (CMOS)-compatible silicon (Si) photonic chips, potentially containing integrated electronics, are disclosed. The integration techniques rely on light coupling with integrated light coupling elements such as turning mirrors, lenses, and surface grating couplers. Light is coupled from between two or more substrates using the light coupling elements. The technique can realize integrated lasers on Si where a gain flip chip (the second substrate) is bonded to a Si chip (the first substrate) and light is coupled between a waveguide in the gain flip chip to a Si waveguide by way of a turning mirror or grating coupler in the flip chip and a grating coupler in the Si chip. Integrated lenses and other elements such as spot-size converters can also be incorporated to alter the mode from the gain flip chip to enhance the coupling efficiency to the Si chip. The light coupling integration technique also allows for the integration of other components such as modulators, amplifiers, and photodetectors. These components can be waveguide-based or non-waveguide based, that is to say, surface emitting or illuminating.
(FR) L'invention concerne des procédés pour réaliser des lasers intégrés et des circuits intégrés photoniques sur des puces photoniques en silicium (Si) compatibles avec un semi-conducteur complémentaire à l'oxyde de métal (CMOS), contenant potentiellement des composants électroniques intégrés. Les techniques d'intégration reposent sur le couplage de lumière avec des éléments de couplage de lumière intégrés, tels que des miroirs prismatiques, des lentilles, et des coupleurs à réseau de surface. La lumière est couplée à partir d'entre deux substrats ou plus à l'aide des éléments de couplage de lumière. La technique peut réaliser des lasers intégrés sur Si où un puce retournée à gain (le second substrat) est liée à une puce en Si (le premier substrat) et la lumière est couplé entre un guide d'ondes dans la puce retournée à gain et un guide d'ondes en Si par l'intermédiaire d'un miroir prismatique ou d'un coupleur à réseau dans la puce retournée et un coupleur à réseau dans la puce en Si. Des lentilles intégrées et d'autres éléments tels que des convertisseurs de taille de point peuvent également être incorporés pour modifier le mode, de la puce retournée à gain pour améliorer le rendement de couplage vers la puce en de Si. La technique d'intégration de couplage de lumière permet également l'intégration d'autres composants tels que des modulateurs, des amplificateurs, et des photodétecteurs. Ces composants peuvent être à base de guide d'onde ou non, c'est-à-dire, à émission de surface ou éclairants.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)