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1. (WO2016010829) REPROGRAMMATION DE MÉMOIRE À IMPULSION DE PROGRAMME UNIQUE PAR ÉTAT DE DONNÉES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/010829 N° de la demande internationale : PCT/US2015/039829
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 09.07.2015
CIB :
G11C 11/56 (2006.01) ,G11C 16/10 (2006.01) ,G11C 16/34 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
56
utilisant des éléments d'emmagasinage comportant plus de deux états stables représentés par des échelons, p.ex. de tension, de courant, de phase, de fréquence
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
10
Circuits de programmation ou d'entrée de données
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
34
Détermination de l'état de programmation, p.ex. de la tension de seuil, de la surprogrammation ou de la sousprogrammation, de la rétention
Déposants :
SanDisk Technologies LLC [US/US]; 6900 Dallas Parkway Suite 325 Plano, Texas 75024, US
Inventeurs :
PANG, Liang; US
DONG, Yingda; US
Mandataire :
MAGEN, BURT; Vierra Magen Marcus LLP 575 Market Street, Suite 3750 San Francisco, California 94105, US
Données relatives à la priorité :
14/331,80015.07.2014US
Titre (EN) REPROGRAMMING MEMORY WITH SINGLE PROGRAM PULSE PER DATA STATE
(FR) REPROGRAMMATION DE MÉMOIRE À IMPULSION DE PROGRAMME UNIQUE PAR ÉTAT DE DONNÉES
Abrégé :
(EN) Techniques are provided for programming memory cells while reducing the effects of detrapping which cause a downshift in the threshold voltage distribution. Detrapping is particularly problematic for charge-trapping memory cells such as in a 3D stacked non-volatile memory device. After completion of a full programming pass, a verify test is performed to identify cells for which reprogramming is warranted. The reprogramming includes a single program pulse for each target data state, where each program pulse is longer than in the full programming pass. The pulse widths can be optimized based on factors such as a programming speed or a threshold voltage distribution width from the full programming pass.
(FR) La présente invention porte sur des techniques permettant de programmer des cellules de mémoire tout en réduisant les effets de non piégeage qui provoquent une rétrogradation dans la distribution de tension de seuil. Le non piégeage est particulièrement problématique pour le piégeage de charges de cellules de mémoire telles que dans un dispositif de mémoire non volatile, empilé en 3D. Après l'achèvement d'une passe de programmation totale, un essai de vérification est effectué pour identifier des cellules pour lesquelles la reprogrammation est garantie. La reprogrammation comprend une impulsion de programme unique pour chaque état de données cible, chaque impulsion de programme étant plus longue que dans la passe de programmation totale. Les largeurs d'impulsion peuvent être optimisées sur la base de facteurs tels qu'une vitesse de programmation ou une largeur de la distribution de tension de seuil à partir de la passe de programmation totale.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)