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1. (WO2016010828) PROGRAMMATION À MULTIPLES PASSES POUR UNE MÉMOIRE AVEC DIFFÉRENTES LARGEURS D'IMPULSIONS DE PROGRAMMATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/010828    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/039828
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 09.07.2015
CIB :
G11C 11/56 (2006.01), G11C 16/10 (2006.01), G11C 16/34 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : SanDisk Technologies LLC [US/US]; 6900 Dallas Parkway Suite 325 Plano, Texas 75024 (US)
Inventeurs : PANG, Liang; (US).
DONG, Yingda; (US)
Mandataire : MAGEN, Burt; Vierra Magen Marcus LLP 575 Market Street, Suite 3750 San Francisco, California 94105 (US)
Données relatives à la priorité :
14/331,784 15.07.2014 US
Titre (EN) MULTIPLE PASS PROGRAMMING FOR MEMORY WITH DIFFERENT PROGRAM PULSE WIDTHS
(FR) PROGRAMMATION À MULTIPLES PASSES POUR UNE MÉMOIRE AVEC DIFFÉRENTES LARGEURS D'IMPULSIONS DE PROGRAMMATION
Abrégé : front page image
(EN)Techniques are provided for programming memory cells while reducing the effects of detrapping which cause a downshift in the threshold voltage distribution. Detrapping is particularly problematic for charge-trapping memory cells such as in a 3D stacked non-volatile memory device. After completion of a full programming pass, a verify test is performed to identify cells for which reprogramming is warranted. The reprogramming can include multiple program-verify iterations which use longer program pulses than in the full programming pass. Moreover, the number of program-verify iterations is limited to reduce the reprogramming time. In one approach, cells of all target data states are programmed together. In another approach, cells of different target data states are programmed separately.
(FR)La présente invention concerne des techniques pour la programmation de cellules de mémoire qui réduisent les effets de dépiégeage qui provoquent une réduction de la distribution des tensions de seuil. Le dépiégeage est particulièrement problématique pour le piégeage de charge de cellules de mémoire telles que celles dans un dispositif de mémoire non volatile empilée 3D. A la fin d'une passe de programmation complète, un test de vérification est effectué pour identifier des cellules pour lesquelles une reprogrammation est garantie. Le reprogrammation peut comporter de multiples itérations de vérification de la programmation qui utilisent des impulsions de programmation plus longues que lors de la passe de programmation complète. Par ailleurs, le nombre d'itérations de vérification de la programmation est limité afin de réduire le temps de reprogrammation. Dans une approche, des cellules de tous les états de données cibles sont programmées ensemble. Dans une autre approche, des cellules de différents états de données sont programmées séparément.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)