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1. (WO2016010808) CIRCUIT INTÉGRÉ PROGRAMMABLE COMPORTANT DIFFÉRENTS TYPES DE MÉMOIRE DE CONFIGURATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/010808    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/039673
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 09.07.2015
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.02.2016    
CIB :
H03K 19/177 (2006.01), H03K 19/003 (2006.01), G06F 17/50 (2006.01), G06F 11/18 (2006.01)
Déposants : XILINX, INC. [US/US]; Attn: Legal Dept. 2100 Logic Drive San Jose, CA 95124 (US)
Inventeurs : KARP, James; (US)
Mandataire : PARANDOOSH, David, A.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/330,922 14.07.2014 US
Titre (EN) PROGRAMMABLE INTEGRATED CIRCUIT HAVING DIFFERENT TYPES OF CONFIGURATION MEMORY
(FR) CIRCUIT INTÉGRÉ PROGRAMMABLE COMPORTANT DIFFÉRENTS TYPES DE MÉMOIRE DE CONFIGURATION
Abrégé : front page image
(EN)To implement a circuit design on a programmable integrated circuit (IC) (100), first data are generated (202) for implementing the circuit design. Critical and non-critical portions of the circuit design with respect to Single Event Upsets (SEus) are determined (206), and second data are generated (210, 212) for programming configuration memory cells of the programmable IC to implement the circuit design. A first subset of the second data is assigned to program a first type of configuration memory cells (118) to implement the critical portion of the circuit design on a first subset of programmable logic resources (102) and a first subset of programmable interconnect resources (106) of the programmable IC. A second subset of the second data is assigned to program a second type of configuration memory cells (120) to implement the non-critical portion of the circuit design on a second subset of programmable logic resources (104) and a second subset of programmable interconnect resources (108). The second data are stored (214) in an electronically readable storage medium. The memory cells of the first type of configuration memory cells are less susceptible to SEUs than the memory cells of the second type of configuration memory cells.
(FR)Selon la présente invention, pour mettre en œuvre une conception de circuit sur un circuit intégré (CI) programmable (100), des premières données sont générées (202) pour mettre en œuvre la conception de circuit. Des parties critiques et non critiques de la conception de circuit relativement à des perturbations isolées (SEU) sont déterminées (206), et des secondes données sont générées (210, 212) pour programmer des cellules de mémoire de configuration du CI programmable afin de mettre en œuvre la conception de circuit. Un premier sous-ensemble des secondes données est attribué pour programmer un premier type de cellules de mémoire de configuration (118) afin de mettre en œuvre la partie critique de la conception de circuit sur un premier sous-ensemble de ressources logiques programmables (102) et un premier sous-ensemble de ressources d'interconnexion programmables (106) du CI programmable. Un second sous-ensemble des secondes données est attribué pour programmer un second type de cellules de mémoire de configuration (120) afin de mettre en œuvre la partie non critique de la conception de circuit sur un second sous-ensemble de ressources logiques programmables (104) et un second sous-ensemble de ressources d'interconnexion programmables (108). Les secondes données sont stockées (214) dans un support d'informations lisible par voie électronique. Les cellules de mémoire du premier type de cellules de mémoire de configuration sont moins sensibles à des SEU que les cellules de mémoire du second type de cellules de mémoire de configuration.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)