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1. (WO2016010699) DISPOSITIF DE MÉMOIRE PROGRAMMABLE UNE SEULE FOIS NON VOLATILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/010699 N° de la demande internationale : PCT/US2015/037529
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 24.06.2015
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 04.05.2016
CIB :
H01L 27/112 (2006.01) ,H01L 29/51 (2006.01) ,H01L 29/423 (2006.01) ,H01L 29/792 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED[US/US]; 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventeurs : LI, Xia; US
XU, Jeffrey Junhao; US
LU, Xiao; US
YANG, Bin; US
YUAN, Jun; US
CHEN, Xiaonan; US
WANG, Zhongze; US
Mandataire : TOLER, Jeffrey G.; US
Données relatives à la priorité :
14/495,50724.09.2014US
62/025,13816.07.2014US
Titre (EN) NON-VOLATILE ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE PROGRAMMABLE UNE SEULE FOIS NON VOLATILE
Abrégé : front page image
(EN) An apparatus includes a metal gate, a substrate material, and an oxide layer between the metal gate and the substrate material. The oxide layer includes a hafnium oxide layer contacting the metal gate and a silicon dioxide layer contacting the substrate material and contacting the hafnium oxide layer. The metal gate, the substrate material, and the oxide layer are included in a one-time programmable (OTP) memory device. The OTP memory device includes a transistor. A non-volatile state of the OTP memory device is based on a threshold voltage shift of the OTP memory device.
(FR) L'invention concerne un appareil qui comprend une grille métallique, un matériau de substrat, et une couche d'oxyde entre la grille métallique et le matériau de substrat. La couche d'oxyde comprend une couche d'oxyde d'hafnium en contact avec la grille métallique et une couche de dioxyde de silicium en contact avec le matériau de substrat et en contact avec la couche d'oxyde d'hafnium. La grille métallique, le matériau de substrat, et la couche d'oxyde sont inclus dans un dispositif de mémoire programmable une seule fois (OTP). Le dispositif de mémoire OTP comprend un transistor. Un état non volatile du dispositif de mémoire OTP est basé sur un décalage de tension de seuil du dispositif de mémoire OTP.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)