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1. (WO2016010631) AMPLIFICATEUR À FAIBLE PUISSANCE ET À LARGE BANDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/010631    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/032261
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 22.05.2015
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.01.2016    
CIB :
H03F 3/45 (2006.01), H03F 1/42 (2006.01), H03F 1/32 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : ARCUDIA, Kenneth Luis; (US).
CHEN, Zhiqin; (US)
Mandataire : HALLMAN, Jonathan W.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/335,421 18.07.2014 US
Titre (EN) WIDEBAND LOW-POWER AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR À FAIBLE PUISSANCE ET À LARGE BANDE
Abrégé : front page image
(EN)An amplifier (200) is provided that includes a differential pair of transistors (M1, M2) configured to steer a tail current responsive to a differential input voltage (inp, inm). The amplifier (200) also includes a transconductor (P4, P6) that tranconducts high-frequency changes in the differential output voltage (outp, outm) into a differential bias current conducted through the differential pair of transistors (M1, M2).
(FR)La présente invention concerne un amplificateur (200) qui comprend une paire différentielle de transistors (M1, M2) conçus pour orienter un courant de queue en réponse à une tension d'entrée différentielle (inp, inm) L'amplificateur (200) comprend également un transconducteur (P4, P6) qui réalise une tranconduction de changements à haute fréquence dans la tension de sortie différentielle (outp, outm) en un courant de polarisation différentiel conduit à travers la paire différentielle de transistors (M1, M2).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)