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1. (WO2016010515) JONCTION DIFFUSÉE À SOURCE SOLIDE POUR ÉLECTRONIQUE SUR NERVURES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/010515    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/046525
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 14.07.2014
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. M/S RNB-4-150 Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : HAFEZ, Walid M.; (US).
JAN, Chia-Hong; (US)
Mandataire : LINDEEN III, Gordon R.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SOLID-SOURCE DIFFUSED JUNCTION FOR FIN-BASED ELECTRONICS
(FR) JONCTION DIFFUSÉE À SOURCE SOLIDE POUR ÉLECTRONIQUE SUR NERVURES
Abrégé : front page image
(EN)A solid source-diffused junction is described for fin-based electronics. In one example, a fin is formed on a substrate. A glass of a first dopant type is deposited over the substrate and over a lower portion of the fin. A glass of a second dopant type is deposited over the substrate and the fin. The glass is annealed to drive the dopants into the fin and the substrate. The glass is removed and a first and a second contact are formed over the fin without contacting the lower portion of the fin.
(FR)L'invention concerne une jonction diffusée à source solide destinée à une électronique sur nervures. Dans un exemple, une nervure est formée sur un substrat. Un verre d'un premier type de dopant est déposé par-dessus le substrat et par-dessus une partie inférieure de la nervure. Un verre d'un deuxième type de dopant est déposé par-dessus le substrat et la nervure. Le verre est recuit pour faire pénétrer les dopants dans la nervure et le substrat. Le verre est retiré et des premier et deuxième contacts sont formés par-dessus la nervure sans entrer en contact avec la partie inférieure de la nervure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)