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1. (WO2016010336) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À AILERON
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/010336 N° de la demande internationale : PCT/KR2015/007287
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 14.07.2015
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
Déposants : IUCF-HYU(INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY)[KR/KR]; 222, Wangsimni-ro Seongdong-gu Seoul 133-791, KR
Inventeurs : KIM, Taewhan; KR
AHN, Joonsung; KR
RYU, Jutae; KR
Mandataire : PARK, Sangyoul; KR
Données relatives à la priorité :
10-2014-008872715.07.2014KR
Titre (EN) FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À AILERON
(KO) 핀 전계 효과 트랜지스터
Abrégé :
(EN) A fin field effect transistor is provided. The fin field effect transistor comprises: a fin-shaped active pattern protruding from a substrate and extending in a first direction; a gate electrode extending in a second direction intersecting the active pattern; and a gate insulation film interposed between the gate electrode and the active pattern, wherein the active pattern includes a channel region defined by the gate electrode, and the channel region includes a lightly doped region doped with a first doping concentration and a heavily doped region doped with a second doping concentration higher than the first doping concentration.
(FR) La présente invention concerne un transistor à effet de champ à aileron. Le transistor à effet de champ à aileron comprend : un motif actif en forme d'aileron qui fait saillie à partir d'un substrat et s'étend dans une première direction ; une électrode de grille qui s'étend dans une seconde direction croisant le motif actif ; et un film d'isolation de grille interposé entre l'électrode de grille et le motif actif, le motif actif comprenant une région de canal définie par l'électrode de grille et la région de canal comprenant une région légèrement dopée à l'aide d'une première concentration de dopage et une région fortement dopée à l'aide d'une seconde concentration de dopage, supérieure à la première.
(KO) 핀 전계 효과 트랜지스터가 제공된다. 상기 핀 전계 효과 트랜지스터는, 기판으로부터 돌출되고, 제1 방향으로 연장하는 핀(fin) 형태의 활성 패턴, 상기 활성 패턴을 가로지르는 제2 방향으로 연장하는 게이트 전극, 및 상기 게이트 전극과 상기 활성 패턴 사이의 게이트 절연막을 포함하되, 상기 활성 패턴은, 상기 게이트 전극에 의해 정의되는 채널 영역을 포함하되, 상기 채널 영역은, 제1 도핑 농도로 도핑된 저농도 도핑 영역, 및 상기 제1 도핑 농도보다 높은 제2 도핑 농도로 도핑된 고농도 도핑 영역을 포함한다.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)