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1. (WO2016010323) STRUCTURE D'EMPILEMENT EN SEMICONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR LA SÉPARATION D'UNE COUCHE EN SEMICONDUCTEUR NITRURE EN UTILISANT CELLE-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/010323 N° de la demande internationale : PCT/KR2015/007271
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 13.07.2015
CIB :
H01L 33/22 (2010.01)
Déposants : SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION[KR/KR]; 1, Gwanak-ro Gwanak-gu Seoul 151-015, KR
HEXASOLUTION CO., LTD.[KR/KR]; 9F., C Dong, 145, Gwanggyo-ro Yeongtong-gu, Suwon-si Gyeonggi-do 443-270, KR
Inventeurs : YOON, Eui-Joon; KR
MOON, Dae-Young; KR
JANG, Jeong-Hwan; KR
PARK, Yongjo; KR
BAE, Duk-Kyu; KR
Mandataire : PHIL & ONZI INT'L PATENT & LAW FIRM; 8F., 63, Banpo-daero Seocho-gu Seoul 137-872, KR
Données relatives à la priorité :
10-2014-008850314.07.2014KR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR STACKING STRUCTURE, AND METHOD AND APPARATUS FOR SEPARATING NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER USING SAME
(FR) STRUCTURE D'EMPILEMENT EN SEMICONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR LA SÉPARATION D'UNE COUCHE EN SEMICONDUCTEUR NITRURE EN UTILISANT CELLE-CI
(KO) 반도체 적층 구조, 이를 이용한 질화물 반도체층 분리방법 및 장치
Abrégé : front page image
(EN) A semiconductor stacking structure according to the present invention comprises: a monocrystalline substrate which is disparate from a nitride semiconductor; an inorganic thin film which is formed on a substrate to define a cavity between the inorganic thin film and the substrate, wherein at least a portion of the inorganic thin film is crystallized with a crystal structure that is the same as the substrate; and a nitride semiconductor layer which is grown from a crystallized inorganic thin film above the cavity. The method and apparatus for separating a nitride semiconductor layer according the present invention mechanically separate between the substrate and the nitride semiconductor layer. The mechanical separation can be performed by a method of separation of applying a vertical force to the substrate and the nitride semiconductor layer, a method of separation of applying a horizontal force, a method of separation of applying a force of a relative circular motion, and a combination thereof.
(FR) La présente invention concerne une structure d'empilement en semiconducteur comprenant : un substrat monocristallin qui est disparate d'un semiconducteur nitrure ; un film mince inorganique qui est formé sur un substrat pour définir une cavité entre le film mince inorganique et le substrat, au moins une partie du film mince inorganique étant cristallisée avec une structure cristalline qui est la même que celle du substrat ; et une couche en semiconducteur nitrure dont la croissance a été effectuée à partir d'un film mince inorganique cristallisé au-dessus de la cavité. Le procédé et l'appareil pour séparer une couche en semiconducteur nitrure selon la présente invention réalisent la séparation mécanique du substrat et de la couche en semiconducteur nitrure. La séparation mécanique peut être effectuée par un procédé de séparation consistant à appliquer une force verticale sur le substrat et la couche en semiconducteur nitrure, un procédé de séparation consistant à appliquer une force horizontale, un procédé de séparation consistant à appliquer une force d'un mouvement circulaire relatif, et une combinaison de ceux-ci.
(KO) 본 발명에 따른 반도체 적층 구조는 질화물 반도체와 이종인 단결정 기판, 기판과의 사이에 빈 공간(cavity)이 정의되도록 기판 상에 형성되고 기판과 같은 결정 구조로 적어도 일부 결정화된 무기물 박막, 및 빈 공간 위의 결정화된 무기물 박막 상에서부터 성장된 질화물 반도체층을 포함한다. 본 발명에 따른 질화물 반도체층 분리방법 및 장치는 기판과 질화물 반도체층 사이를 기계적으로 분리시킨다. 기계적인 분리는 기판과 질화물 반도체층에 수직 방향 힘을 주어 분리하는 방법, 수평 방향의 힘을 주어 분리하는 방법, 상대적인 원운동의 힘을 주어 분리하는 방법, 및 그 조합의 방법으로 수행할 수 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)