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1. (WO2016010095) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE COUCHE DE DIFFUSION DE TYPE N, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/010095 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/070322
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 15.07.2015
CIB :
H01L 21/225 (2006.01) ,H01L 31/068 (2012.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.[JP/JP]; 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606, JP
Inventeurs : IWAMURO, Mitsunori; JP
NOJIRI, Takeshi; JP
KURATA, Yasushi; JP
ASHIZAWA, Toranosuke; JP
ORITA, Akihiro; JP
SHIMIZU, Mari; JP
SATO, Tetsuya; JP
SATOU, Eiichi; JP
Mandataire : TAIYO, NAKAJIMA & KATO; TAIYO, NAKAJIMA & KATO, 3-17, Shinjuku 4-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Données relatives à la priorité :
2014-14537515.07.2014JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING N-TYPE DIFFUSION LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE COUCHE DE DIFFUSION DE TYPE N, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE
(JA) n型拡散層を有する半導体基板の製造方法及び太陽電池素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)  A method for manufacturing a semiconductor substrate having an n-type diffusion layer including a step for heat-treating a semiconductor substrate such that the gas flow rate is 3-60 mm/sec in linear speed, at least a part of the semiconductor substrate being imparted with an n-type-diffusion-layer-forming composition that contains a dispersion medium and glass particles containing a donor element.
(FR)  La présente invention porte sur un procédé de fabrication de substrat semi-conducteur comprenant une couche de diffusion de type n comprenant une étape de traitement thermique d'un substrat semi-conducteur de telle sorte que le débit de gaz est de 3 à 60 mm/sec en vitesse linéaire, au moins une partie du substrat semi-conducteur étant en communication avec une composition de formation de couche de diffusion de type n qui contient un milieu de dispersion et des particules de verre contenant un élément donneur.
(JA)  ドナー元素を含むガラス粒子と、分散媒と、を含有するn型拡散層形成組成物が少なくとも一部に付与された半導体基板を、ガスの流量が線速度で3mm/秒~60mm/秒である条件下で熱処理する工程を含む、n型拡散層を有する半導体基板の製造方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)