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1. (WO2016010053) ÉLÉMENT ÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/010053    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/070205
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 14.07.2015
CIB :
C23C 28/00 (2006.01), B32B 9/00 (2006.01), C23C 18/12 (2006.01), C25D 7/00 (2006.01), H01H 1/04 (2006.01), H01R 13/03 (2006.01)
Déposants : YAZAKI CORPORATION [JP/JP]; 4-28, Mita 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1088333 (JP)
Inventeurs : TANAKA Kenzo; (JP).
ITO Yoshitaka; (JP).
KONDO Takaya; (JP).
ONUMA Masanori; (JP).
TOYOIZUMI Jun; (JP)
Mandataire : EIKOH PATENT FIRM, P.C.; Toranomon East Bldg. 10F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-144249 14.07.2014 JP
2014-145112 15.07.2014 JP
2014-187830 16.09.2014 JP
2014-217382 24.10.2014 JP
2014-253432 15.12.2014 JP
Titre (EN) ELECTRIC ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTRIQUE
(JA) 電気素子
Abrégé : front page image
(EN)An electrical contact for connectors, wherein an oxide thin film (16) doped with an element is provided on a base (12), said element contributing to development of electrical conductivity. It is preferable that the element contributing to development of electrical conductivity is at least one element selected from the group consisting of F, In, Ga, Tl, As, Sb and Bi. It is also preferable that the oxide thin film is formed of SnO and/or SnO2.
(FR)La présente invention concerne un contact électrique pour connecteurs, un film mince d'oxyde (16) dopé avec un élément étant disposé sur une base (12), ledit élément contribuant au développement de la conductivité électrique. Il est préférable que l'élément contribuant au développement de la conductivité électrique soit au moins un élément choisi dans le groupe constitué par F, In, Ga, Ti, As, Sb et Bi. Il est également préférable que le film mince d'oxyde soit formé de SnO et/ou de SnO2.
(JA) コネクタ用電気接点において、基材(12)上に、元素をドープした酸化物薄膜(16)を設け、当該元素が、導電性発現に寄与する元素である。導電性発現に寄与する元素は、F、In、Ga、Tl、As、SbおよびBiからなる群から選択された少なくとも1種であると好ましく、酸化物薄膜は、SnOおよび/またはSnOであると好ましい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)