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1. (WO2016010052) COMPOSITION DE FORMATION DE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR MÉTAL-OXYDE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR MÉTAL-OXYDE METTANT EN ŒUVRE LADITE COMPOSITION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/010052    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/070204
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 14.07.2015
CIB :
H01L 21/368 (2006.01), C01G 15/00 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kanda Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP)
Inventeurs : MAEDA, Shinichi; (JP)
Mandataire : KURIHARA, Hiroyuki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-146105 16.07.2014 JP
2015-049862 12.03.2015 JP
Titre (EN) METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER FORMING COMPOSITION, AND METHOD FOR PRODUCING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER USING SAME
(FR) COMPOSITION DE FORMATION DE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR MÉTAL-OXYDE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR MÉTAL-OXYDE METTANT EN ŒUVRE LADITE COMPOSITION
(JA) 金属酸化物半導体層形成用組成物及びそれを用いた金属酸化物半導体層の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a composition for forming a metal oxide semiconductor that includes a solvent represented by general formula [1] and an inorganic metal salt. (In the formula, R1 represents a linear or branched C2-3 alkylene group, and R2 represents a linear or branched C1-3 alkyl group.)
(FR)Cette invention concerne une composition de formation d'un semi-conducteur métal-oxyde qui comprend un solvant représenté par la formule générale [1] et un sel de métal inorganique. (Dans la formule, R1 représente un groupement alkylène en C2-3 linéaire ou ramifié, et R2 représente groupement alkyle en C1-3 linéaire ou ramifié.)
(JA) 一般式[1]で表される溶媒と無機金属塩とを含む金属酸化物半導体層形成用組成物による。 (式中、R1は炭素原子数2~3の直鎖又は分岐のアルキレン基、R2は炭素原子数1~3の直鎖又は分岐のアルキル基を表す。)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)