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1. (WO2016010040) DISPOSITIF POUR LA CROISSANCE D'UN MONOCRISTAL DE TANTALATE DE LITHIUM ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/010040    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/070166
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 14.07.2015
CIB :
C30B 29/30 (2006.01), C30B 15/10 (2006.01), C30B 15/12 (2006.01)
Déposants : FUKUDA CRYSTAL LABORATORY [JP/JP]; 6-3, Minami-Yoshinari 6-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9893204 (JP)
Inventeurs : FUKUDA, Tsuguo; (JP)
Mandataire : FUKUMORI, Hisao; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-144612 14.07.2014 JP
2015-091285 28.04.2015 JP
Titre (EN) LITHIUM TANTALATE SINGLE CRYSTAL GROWTH DEVICE AND GROWTH METHOD
(FR) DISPOSITIF POUR LA CROISSANCE D'UN MONOCRISTAL DE TANTALATE DE LITHIUM ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE
(JA) タンタル酸リチウム単結晶の育成装置及び育成方法
Abrégé : front page image
(EN) The purpose of the present invention is to provide a device and method for growing a single crystal which is inexpensive and devoid of fine bubbles and the occurrence of sub-grains, and has longer service life. A lithium tantalate single crystal growth device for heating a starting material in a crucible 4 through use of a resistance heating heater 6, bringing a seed crystal 3 into contact with the molten starting material melt 5, and then withdrawing the seed crystal 3 and growing a single crystal, the crucible 4 having a coating layer 4b comprising a Pt-Rh alloy having a rhodium content of 25-45% (percent by mass; the same hereinafter) on an inside surface of a crucible body 4a comprising tungsten, molybdenum, or tantalum.
(FR) La présente invention a pour objectif de fournir un dispositif et un procédé pour la croissance d'un monocristal qui soit peu coûteux, dépourvu de fines bulles et sans apparition de sous-grains, et qui présente une durée de vie plus longue. L'invention concerne un dispositif de croissance d'un monocristal de tantalate de lithium destiné à chauffer un matériau de départ dans un creuset 4 par le biais de l'utilisation d'un élément chauffant à chauffage par résistance 6, amener un germe cristallin 3 en contact avec le bain fondu 5 de matériau de départ à l'état fondu, puis retirer le germe cristallin 3 et faire croître un monocristal, le creuset 4 ayant une couche de revêtement 4b comprenant un alliage Pt-Rh ayant une teneur en rhodium de 25 à 45 % (pour cent en masse ; ce qui s'applique également aux éléments mentionnés ci-après) sur une surface intérieure d'un corps de creuset 4a comprenant du tungstène, du molybdène ou du tantale.
(JA) 安価であり、微小な気泡、サブグレインの発生が無く、より高寿命な単結晶育成装置及び育成方法を提供することを目的とする。 坩堝4内の原料を抵抗加熱ヒーター6により加熱し、溶融した原料融液5に種結晶3を接触させた後に、種結晶3を引き上げて単結晶を育成させるタンタル酸リチウム単結晶の育成装置であって、 坩堝4は、タングステン、モリブデン又はタンタルからなる坩堝本体4aの内表面に、ロジウム含有量が25-45%(質量%以下同じ)のPt-Rh合金からなる被覆層4bを有している。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)