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1. (WO2016009911) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LASER À ÉMISSION PAR LA SURFACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/009911 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/069613
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 08.07.2015
CIB :
H01S 5/183 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
10
Structure ou forme du résonateur optique
18
Lasers à émission de surface (lasers SE)
183
ayant une cavité verticale (lasers VCSE)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205
en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314
Couches inorganiques
316
composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD.[JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventeurs : UEDA, Takashi; JP
SUZUKI, Arata; JP
SEKI, Hitoshi; JP
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Données relatives à la priorité :
2014-14768018.07.2014JP
Titre (EN) VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING LASER MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LASER À ÉMISSION PAR LA SURFACE
(JA) 垂直共振器型面発光レーザの製造方法
Abrégé :
(EN) In the present invention, in a vertical-cavity surface-emitting laser manufacturing method, a lateral surface of an oxidation layer is exposed due to the processing of a laminated body which includes the oxidation layer, and then a current constriction layer is formed according to a heated water vapor oxidizing process. The heated water vapor oxidizing process includes: a step in which a substrate (110), which includes the processed laminated body, is placed on a stage (102) provided inside of a chamber (101) the interior of which can be made airtight; a step in which, in a purified water tank (122) which is outside of the chamber (101), a water vapor gas is generated by heating the purified water in a vacuum atmosphere; and a step in which the water vapor gas is subjected to flow-rate control and supplied to the inside of the chamber (101) which has a vacuum atmosphere.
(FR) Selon la présente invention, dans un procédé de fabrication de laser à émission par la surface, une surface latérale d'une couche d'oxydation est exposée en raison du traitement d'un corps stratifié qui comprend la couche d'oxydation, et ensuite une couche de constriction de courant est formée selon un procédé d'oxydation par vapeur d'eau chauffée. Le procédé d'oxydation par vapeur d'eau chauffée comprend : une étape au cours de laquelle un substrat (110), qui comprend le corps stratifié traité, est placé sur un étage (102) disposé à l'intérieur d'une chambre (101) dont l'intérieur peut être rendue étanche à l'air ; une étape au cours de laquelle, dans un réservoir d'eau purifiée (122) qui est à l'extérieur de la chambre (101), un gaz de vapeur d'eau est généré par chauffage de l'eau purifiée dans une atmosphère sous vide ; et une étape au cours de laquelle le gaz de vapeur d'eau est soumis à une commande de débit et fourni à l'intérieur de la chambre (101) qui a une atmosphère sous vide.
(JA)  垂直共振器型面発光レーザの製造方法では、被酸化層を含む積層体を加工することによって被酸化層の側面を露出した後に、加熱水蒸気酸化工程によって電流狭窄層が形成される。加熱水蒸気酸化工程は、内部を気密にすることが可能なチャンバ(101)の内部に設けられたステージ(102)に、加工後の積層体を有する基板(110)を載置するステップと、チャンバ(101)の外部の純水漕(122)において、真空雰囲気中で純水を加熱することにより水蒸気ガスを生成するステップと、水蒸気ガスを、真空雰囲気としたチャンバ(101)内へ流量制御して供給するステップとを含む。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)