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1. (WO2016009891) COMPOSITION POUR LA FORMATION D'UN FILM SEMICONDUCTEUR ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR ORGANIQUE

Pub. No.:    WO/2016/009891    International Application No.:    PCT/JP2015/069505
Publication Date: Fri Jan 22 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Wed Jul 08 01:59:59 CEST 2015
IPC: H01L 51/05
C07C 15/24
C07C 25/22
C07C 43/20
C09D 11/03
C09D 11/32
H01L 21/336
H01L 29/786
H01L 51/30
H01L 51/40
Applicants: FUJIFILM CORPORATION
富士フイルム株式会社
Inventors: HONGO Yushi
本郷 悠史
Title: COMPOSITION POUR LA FORMATION D'UN FILM SEMICONDUCTEUR ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR ORGANIQUE
Abstract:
L'objet de la présente invention est de fournir : une composition pour la formation d'un film semiconducteur organique, qui permet la formation d'un film semiconducteur organique ayant une excellente mobilité et une excellente uniformité de film ; un élément semiconducteur organique, lequel film semiconducteur organique a une excellente mobilité et une excellente uniformité de film ; et un procédé de fabrication de cet élément semiconducteur organique. Une composition pour la formation d'un film semiconducteur organique selon la présente invention est caractérisée en ce qu'elle contient un semiconducteur organique (composant (A)) et un solvant organique qui est représenté par la formule (B-1) et a un point d'ébullition de 200 °C à 240 °C (inclus) (composant (B)). Dans la formule (B-1), Rb1 représente un groupe alkyle, un groupe alcoxy, un atome d'halogène, un groupe cyano ou un groupe vinyle ; m représente un entier de 1 à 4 ; et dans les cas où m est supérieur ou égal à 2, la pluralité de fractions Rb1 peuvent être identiques ou différentes les unes des autres.