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1. (WO2016009781) DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/009781    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/067688
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 19.06.2015
CIB :
H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventeurs : NOZAWA, Toshihisa; (JP)
Mandataire : KANEMOTO, Tetsuo; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-145186 15.07.2014 JP
Titre (EN) PLASMA PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
Abrégé : front page image
(EN)A plasma processing device having: a process chamber that houses a substrate in an airtight manner; a microwave supply unit that irradiates the interior of the process chamber with microwaves; a process gas supply unit that supplies process gas within the process chamber; a substrate holding mechanism that holds the substrate inside the process chamber; a support shaft that penetrates the floor surface of the process chamber in the up/down direction and supports the lower surface of the substrate holding mechanism; a rotational drive mechanism that is provided outside of the process chamber and rotates the support shaft; a magnetic fluid seal that seals the interval between the support shaft and the process chamber in an airtight manner; and a choke mechanism that is provided above the magnetic fluid seal and prevents heating of the magnetic fluid seal due to leakage of microwaves from between the support shaft and the process chamber.
(FR)Dispositif de traitement par plasma comprenant: une chambre de processus qui renferme un substrat de manière étanche à l'air; une unité d'alimentation en micro-ondes qui irradie l'intérieur de la chambre de processus avec des micro-ondes; une unité d'alimentation en gaz de processus qui amène un gaz de processus à l'intérieur de la chambre de processus; un mécanisme de maintien de substrat qui maintient le substrat à l'intérieur de la chambre de processus; un arbre porteur qui traverse la surface de plancher de la chambre de processus dans la direction haut/bas et qui soutient la surface inférieure du mécanisme de maintien de substrat; un mécanisme d'entraînement en rotation qui est placé à l'extérieur de la chambre de processus et qui fait tourner l'arbre porteur; un joint à fluide magnétique qui isole l'intervalle entre l'arbre porteur et la chambre de processus de manière étanche à l'air; et un mécanisme d'inductance d'arrêt qui est placé au-dessus du joint à fluide magnétique et qui empêche l'échauffement du joint à fluide magnétique en raison de fuites de micro-ondes provenant de l'espace entre l'arbre porteur et la chambre de processus.
(JA) プラズマ処理装置は、基板を気密に収容する処理容器と、処理容器内にマイクロ波を照射するマイクロ波供給部と、処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、処理容器内において基板を保持する基板保持機構と、処理容器の底面を上下方向に貫通し、基板保持機構の下面を支持する支持軸と、処理容器の外部に設けられ、支持軸を回転させる回転駆動機構と、支持軸と処理容器との間を気密に塞ぐ磁性流体シールと、磁性流体シールよりも上方に設けられ、支持軸と処理容器との間からのマイクロ波の漏洩により磁性流体シールが加熱されることを防止するチョーク機構と、を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)