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1. (WO2016009741) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/009741 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/066386
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 05.06.2015
CIB :
H01L 23/40 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
40
Supports ou moyens de fixation pour les dispositifs de refroidissement ou de chauffage amovibles
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12
Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36
Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
Déposants :
富士電機株式会社 FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, kawasaki-shi, Kanagawa 2109530, JP
Inventeurs :
瀧澤 直樹 TAKIZAWA Naoki; JP
Mandataire :
本多 一郎 HONDA Ichiro; JP
Données relatives à la priorité :
2014-14829618.07.2014JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé :
(EN) A semiconductor device 1 of this invention is provided with a laminated substrate 3 that is formed by laminating circuit boards 33, an insulation board 31, and a metal plate 32 and that is warped so as to be convex towards the circuit board 33 side; semiconductor chips 5 secured to the circuit boards 33; a base plate 2 having a predetermined placement region on which the laminated substrate 3 is placed, a groove 22A arranged on the outer edge of the placement region, and a protrusion 21 adjacent to the groove 22A and disposed closer to the inner side of the placement region than the groove 22A is, wherein the groove 22A is provided with an inclination 22Ab on the protrusion 21 side corresponding to the inclination formed by the warping of the laminated substrate 3; and a joining material 4 filled between the metal plate 32 and the placement region and covering the groove 22A and the protrusion 21.
(FR) Selon l'invention, un dispositif semi-conducteur (1) comporte un substrat stratifié (3) qui est formé par stratification de cartes de circuits imprimés (33), d'un panneau d'isolation (31), et d'une plaque métallique (32) et qui est déformé de manière à être convexe vers le côté carte de circuits imprimés (33) ; des puces à semi-conducteurs (5) fixées sur les cartes de circuits imprimés (33) ; une plaque de base (2) comprenant une région de placement prédéfinie sur laquelle le substrat stratifié (3) est placé, une rainure (22A) ménagée sur le bord extérieur de la région de placement, et une saillie (21) adjacente à la rainure (22A) et disposée plus près du côté intérieur de la région de placement que ne l'est la rainure (22A), la rainure (22A) comportant une inclinaison (22Ab) sur le côté saillie (21) correspondant à l'inclinaison formée par la déformation du substrat stratifié (3) ; et une matière de jonction (4) remplie entre la plaque métallique (32) et la région de placement et recouvrant la rainure (22A) et la saillie (21).
(JA)  半導体装置1は、回路板33、絶縁板31及び金属板32が積層して構成され、回路板33側に凸に反った積層基板3と、回路板33に固定された半導体チップ5と、積層基板3が配置される所定の配置領域と、配置領域の外縁に配置された溝22Aと、溝22Aに隣接して溝22Aよりも配置領域の内側に配置された突起21を有し、溝22Aには積層基板3の反りによる傾きに対応した傾斜22Abが突起21側に設けられているベース板2と、金属板32と配置領域との間に充填され、溝22Aおよび突起21を覆う接合材4を備える。
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)