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1. (WO2016009698) CÉRAMIQUE FERROÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ POUR SA PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/009698 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/062647
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 27.04.2015
CIB :
H01L 41/319 (2013.01) ,C01G 25/00 (2006.01) ,C01G 55/00 (2006.01) ,C04B 35/491 (2006.01) ,H01L 41/187 (2006.01) ,H01L 41/318 (2013.01) ,H01L 21/316 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22
Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
31
Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support
314
par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie
319
à l’aide de couches intermédiaires, p.ex. pour contrôler la croissance
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
01
CHIMIE INORGANIQUE
G
COMPOSÉS CONTENANT DES MÉTAUX NON COUVERTS PAR LES SOUS-CLASSES C01D OU C01F104
25
Composés du zirconium
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
01
CHIMIE INORGANIQUE
G
COMPOSÉS CONTENANT DES MÉTAUX NON COUVERTS PAR LES SOUS-CLASSES C01D OU C01F104
55
Composés du ruthénium, du rhodium, du palladium, de l'osmium, de l'iridium, ou du platine
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
04
CIMENTS; BÉTON; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES
B
CHAUX; MAGNÉSIE; SCORIES; CIMENTS; LEURS COMPOSITIONS, p.ex. MORTIERS, BÉTON OU MATÉRIAUX DE CONSTRUCTION SIMILAIRES; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES; TRAITEMENT DE LA PIERRE NATURELLE
35
Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
01
à base d'oxydes
48
à base d'oxydes de zirconium ou d'hafnium ou de zirconates ou d'hafnates
49
contenant également de l'oxyde de titane ou des titanates
491
à base de zirconates de plomb et de titanates de plomb
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
16
Emploi de matériaux spécifiés
18
pour des éléments piézo-électriques ou électrostrictifs
187
Compositions céramiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22
Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
31
Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support
314
par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie
318
par dépôt sol-gel
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314
Couches inorganiques
316
composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
Déposants : YOUTEC CO., LTD.[JP/JP]; 956-1, Nishi-hirai, Nagareyama-shi, Chiba 2700156, JP
Inventeurs : KIJIMA Takeshi; JP
Mandataire : YANASE Mutsuyasu; JP
Données relatives à la priorité :
2014-14625016.07.2014JP
Titre (EN) FERROELECTRIC CERAMIC AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) CÉRAMIQUE FERROÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ POUR SA PRODUCTION
(JA) 強誘電体セラミックス及びその製造方法
Abrégé :
(EN) [Problem] The present invention addresses the problem of improving piezoelectric characteristics. [Solution] One embodiment of the present invention is a ferroelectric ceramic which is characterized by comprising a Pb(Zr1-ATiA)O3 film and a Pb(Zr1-xTix)O3 film formed on the Pb(Zr1-ATiA)O3 film, wherein A and x satisfy the following formulae 1-3. 0 ≤ A ≤ 0.1 formula 1 0.1 < x < 1 formula 2 A < x formula 3
(FR) [Problème] La présente invention traite le problème de l'amélioration des caractéristiques piézoélectriques. [Solution] Un des modes de réalisation de la présente invention concerne une céramique ferroélectrique caractérisée en ce qu'elle comporte un film de Pb(Zr1-ATiA)O3 et un film de Pb(Zr1-xTix)O3 formé sur le film de Pb(Zr1-ATiA)O3, A et x satisfaisant les formules 1 à 3 qui suivent. 0 ≤ A ≤ 0,1 formule 1 0,1 < x < 1 formule 2 A < x formule 3
(JA) 【課題】圧電特性を向上させることを課題とする。 【解決手段】本発明の一態様は、Pb(Zr1-ATi)O膜と、前記Pb(Zr1-ATi)O膜上に形成されたPb(Zr1-xTi)O膜と、を具備し、前記A及び前記xは下記式1~式3を満たすことを特徴とする強誘電体セラミックスである。 0≦A≦0.1 ・・・式1 0.1<x<1 ・・・式2 A<x ・・・式3
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)