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1. (WO2016009582) CIRCUIT D'ATTAQUE POUR DISPOSITIF COMMANDÉ EN TENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/009582 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/002570
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 21.05.2015
CIB :
H03K 17/16 (2006.01) ,H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H02M 1/08 (2006.01) ,H03K 17/56 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
16
Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
1
Détails d'appareils pour transformation
08
Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
51
caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés
56
par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
Déposants :
富士電機株式会社 FUJI ELECTRIC CO.,LTD. [JP/JP]; 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530, JP
Inventeurs :
森 貴浩 MORI, Takahiro; JP
Mandataire :
廣瀬 一 HIROSE, Hajime; JP
Données relatives à la priorité :
2014-14694117.07.2014JP
Titre (EN) VOLTAGE CONTROLLED DEVICE DRIVE CIRCUIT
(FR) CIRCUIT D'ATTAQUE POUR DISPOSITIF COMMANDÉ EN TENSION
(JA) 電圧制御型デバイスの駆動回路
Abrégé :
(EN) Provided is a voltage controlled device drive circuit wherein the turn-on performance of the drive circuit can be adjusted in accordance with the specification or the like of at least one of the voltage controlled device and the drive circuit. A voltage controlled device drive circuit comprises: a constant current circuit (30) that supplies a constant current to the gate of a voltage controlled device (10), thereby causing the voltage controlled device to perform an on-operation; a discharge circuit (40) that flows a discharge current between the gate of the voltage controlled device and the emitter thereof, thereby causing the voltage controlled device to perform an off-operation; a switch circuit (50) that activates, in response to a drive signal, one of the constant current circuit and the discharge circuit, thereby turning on or off the voltage controlled device; a current order value generation circuit (60) that generates and outputs a current order value to establish at least an output current of the constant current circuit; and a current control circuit (70) that controls the output current of the constant current circuit on the basis of the current order value generated by the current order value generation circuit.
(FR) La présente invention se rapporte à un circuit d'attaque de dispositif commandé en tension, les performances de mise sous tension dudit circuit d'attaque pouvant être ajustées en fonction de la spécification ou analogue du dispositif commandé en tension et/ou du circuit d'attaque. Un circuit d'attaque de dispositif commandé en tension comprend : un circuit (30) à courant constant qui délivre un courant constant à la grille d'un dispositif (10) commandé en tension, amenant ainsi le dispositif commandé en tension à effectuer une opération de mise sous tension ; un circuit (40) de décharge qui fait circuler un courant de décharge entre la grille du dispositif commandé en tension et l'émetteur de celui-ci, amenant ainsi le dispositif commandé en tension à effectuer une opération de mise hors tension ; un circuit (50) de commutation qui active, en réponse à un signal d'attaque, un circuit parmi le circuit à courant constant et le circuit de décharge, ce qui permet de mettre sous tension ou hors tension le dispositif commandé en tension ; un circuit (60) de génération de valeur d'ordre de courant qui génère et délivre en sortie une valeur d'ordre de courant pour établir au moins un courant de sortie du circuit à courant constant ; et un circuit (70) de commande de courant qui commande le courant de sortie du circuit à courant constant sur la base de la valeur d'ordre de courant générée par le circuit de génération de valeur d'ordre de courant.
(JA)  駆動回路を電圧制御型デバイス及び駆動回路の少なくとも一方の仕様などに合わせてターンオン能力の調整が可能な電圧制御型デバイスの駆動回路を提供する。電圧制御型デバイス(10)のゲートに一定電流を供給して当該電圧制御型デバイスをオン動作させる定電流回路(30)と、電圧制御型デバイスのゲートとエミッタとの間に放電電流を流して当該電圧制御型デバイスをオフ動作させる放電回路(40)と、駆動信号に応じて前記定電流回路及び前記放電回路の一方を動作させて前記電圧制御型デバイスをターンオンまたはターンオフさせる切替回路(50)と、少なくとも前記定電流回路の出力電流を設定する電流指令値を生成して出力する電流指令値生成回路(60)と、該電流指令値生成回路で生成された電流指令値に基づいて前記定電流回路の出力電流を制御する電流制御回路(70)とを備えている。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)