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1. (WO2016009088) DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES ET RÉFLECTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/009088 N° de la demande internationale : PCT/EP2015/066503
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 18.07.2015
CIB :
H01L 25/075 (2006.01) ,H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/60 (2010.01) ,H01L 33/46 (2010.01) ,H01L 33/58 (2010.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS N.V.[NL/NL]; High Tech Campus 5 5656 AE Eindhoven, NL
Inventeurs : CROMPVOETS, Floris Maria Hermansz; NL
SWEEGERS, Norbertus Antonius Maria; NL
CORNELISSEN, Hugo Johan; NL
DE SAMBER, Marc Andre; NL
Mandataire : RÜBER, Bernhard, Jakob; DE
Données relatives à la priorité :
14177590.818.07.2014EP
Titre (EN) LIGHT EMITTING DIODES AND REFLECTOR
(FR) DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES ET RÉFLECTEUR
Abrégé : front page image
(EN) Proposed is a light source comprising: first and second semiconductor diode structures adapted to generate light, the first and second semiconductor diode structures being laterally adjacent to each other; a light output section at least partially overlapping both of the first and second semiconductor diode structures and adapted to output light from the first and second semiconductor diode structures; and a light reflecting structure at least partially enclosing side surfaces of the first and second semiconductor diode structures and the light output section and adapted to reflect light from the semiconductor diode structures towards the light output section. The area of the light output section is less than the combined area of the first and second semiconductor diode structures.
(FR) La présente invention concerne une source de lumière comprenant : des première et seconde structures de diodes à semi-conducteurs pouvant générer de la lumière, les première et seconde structures de diodes à semi-conducteurs étant adjacentes l'une à l'autre latéralement ; une section de sortie de lumière chevauchant au moins partiellement à la fois les première et seconde structures de diodes à semi-conducteurs et pouvant émettre de la lumière en provenance des première et seconde structures de diodes à semi-conducteurs ; et une structure réfléchissant la lumière enserrant au moins partiellement des surfaces latérales des première et seconde structures de diodes à semi-conducteurs et de la section de sortie de lumière et pouvant réfléchir la lumière en provenance des structures de diodes à semi-conducteurs vers la section de sortie de lumière. La superficie de la section de sortie de lumière est inférieure à la superficie combinée des première et seconde structures de diodes à semi-conducteurs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)