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1. (WO2016009061) SOURCE LUMINEUSE À DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE (DEL) POUR APPLICATION AUTOMOBILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/009061    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/066452
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 17.07.2015
CIB :
H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/075 (2006.01), G02B 6/08 (2006.01), F21S 8/10 (2006.01), F21K 99/00 (2010.01), H01L 25/065 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS N.V. [NL/NL]; High Tech Campus 5 NL-5656 AE Eindhoven (NL)
Inventeurs : CROMPVOETS, Floris Maria Hermansz; (NL).
SWEEGERS, Norbertus Antonius Maria; (NL).
CORNELISSEN, Hugo Johan; (NL).
DE SAMBER, Marc Andre; (NL)
Mandataire : RÜBER, Bernhard, Jakob; (DE)
Données relatives à la priorité :
14177598.1 18.07.2014 EP
Titre (EN) LED LIGHT SOURCE FOR AUTOMOTIVE APPLICATION
(FR) SOURCE LUMINEUSE À DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE (DEL) POUR APPLICATION AUTOMOBILE
Abrégé : front page image
(EN)Proposed is a light source comprising first and second LED light sources. Each of the first and second LED light sources have: a semiconductor diode structure adapted to generate light; and a light output section above the semiconductor diode structure adapted to output light from the semiconductor diode structure in a light output direction, the area of the light output section being less than the area of the semiconductor diode structure. The second LED light source is arranged above and at least partially overlapping the first LED light source with non-aligned light output sections with respect to the light output direction.
(FR)La présente invention porte sur une source lumineuse comportant une première et une seconde source lumineuse à diode électroluminescente (DEL). Chacune des première et seconde sources lumineuses à DEL possèdent : une structure de diode à semi-conducteur conçue pour générer de la lumière ; une section de sortie de lumière au-dessus de la structure de diode à semi-conducteur conçue pour émettre de la lumière à partir de la structure de diode à semi-conducteur dans une direction de sortie de lumière, l'aire de la section de sortie de lumière étant inférieure à l'aire de la structure de diode à semi-conducteur. La seconde source lumineuse à DEL est agencée au-dessus et chevauche au moins partiellement la première source lumineuse à DEL avec des sections de sortie de lumière non alignées par rapport à la direction de sortie de lumière.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)