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1. (WO2016008805) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/008805    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/065740
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 09.07.2015
CIB :
H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/46 (2010.01), H01L 21/78 (2006.01), H01L 33/20 (2010.01), H01L 33/10 (2010.01), H01L 33/40 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventeurs : PLÖSSL, Andreas; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2014 110 071.9 17.07.2014 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
(EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(DE)Es ist das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils, insbesondere einer LED, eingerichtet und umfasst die folgenden Schritte: A) Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (3) auf eine lichtdurchlässige Trägerscheibe (2), B) Strukturieren der Halbleiterschichtenfolge (3) zu einzelnen Bauteilbereichen (31), C) Anbringen zumindest eines ersten Spiegels (42) und zumindest einer elektrischen Kontaktschicht (43) an den Bauteilbereichen (31), D) Strukturieren der Trägerscheibe (2) zu Trägergruppen (21), sodass jede Trägergruppe (21) mindestens zwei der Bauteilbereiche (31) aufweist und sodass rings um die Trägergruppe (21) herum ein Graben (24) mit Grabenwänden (25) gebildet wird, E) Aufbringen eines zweiten Spiegels (5) auf den Grabenwänden (25), F) Aufbringendes zweiten Spiegels (5) auf einer Trägerunterseite (27), und G) Zerteilen der Trägergruppe (21) zu einzelnen Trägern (22) mit je einer der Bauteilbereiche (31).
(EN)The invention relates to a method for producing an optoelectronic semiconductor component, in particular an LED, comprising the following steps: A) applying a semiconductor layer sequence (3) to a light-permeable carrier wafer (2), B) structuring the semiconductor layer sequence (3) into individual component regions (31), C) applying at least one first mirror (42) and at least one electrical contact layer (43) to the component regions (31), D) structuring the carrier wafer (2) into carrier groups (21) in such a way that each carrier group (21) has at least two of the component regions (31) and in such a way that a trench (24) having trench walls (25) is formed around the carrier group (21), E) applying a second mirror (5) to the trench walls (25), F) applying the second mirror (5) to a carrier underside (27), and G) dividing the carrier group (21) into individual carriers (22) each having one of the component regions (31).
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un composant optoélectronique à semi-conducteur, en particulier une diode électroluminescente, ledit procédé comprenant les étapes suivantes consistant à : A) appliquer une succession de couches semi-conductrices (3) sur un disque support transparent (2), B) structurer la succession de couches semi-conductrices (3) en différentes zones de composant (31), C) fixer au moins un premier miroir (42) et au moins une couche de contact électrique (43) sur les zones de composant (31), D) structurer le disque support (2) en groupes de support (21), de sorte que chaque groupe de support (21) comprend au moins deux des zones de composant (31) et de sorte qu'une tranchée (24) présentant des parois (25) est formée tout autour du groupe de support (21), E) appliquer un deuxième miroir (5) sur les parois (25) de la tranchée, F) appliquer le deuxième miroir (5) sur une face inférieure de support (27), et G) diviser le groupe de supports (21) en différents supports (22) présentant chacun une des zones de composant (31).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)