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1. (WO2016008768) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF D'USINAGE AU LASER DE SUBSTRATS PLATS CRISTALLINS, NOTAMMENT DE SUBSTRATS SEMICONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/008768 N° de la demande internationale : PCT/EP2015/065476
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 07.07.2015
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 12.05.2016
CIB :
B23K 26/00 (2014.01) ,B23K 26/06 (2014.01) ,B23K 26/073 (2006.01) ,B23K 26/0622 (2014.01) ,B23K 101/40 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23
MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
K
BRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
26
Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage, perçage
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23
MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
K
BRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
26
Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage, perçage
02
Mise en place ou surveillance des pièces, p.ex. par rapport au point d'impact; Alignement, pointage ou focalisation du faisceau laser
06
Détermination de la configuration du faisceau, p.ex. à l'aide de masques, ou de foyers multiples
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23
MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
K
BRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
26
Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage, perçage
02
Mise en place ou surveillance des pièces, p.ex. par rapport au point d'impact; Alignement, pointage ou focalisation du faisceau laser
06
Détermination de la configuration du faisceau, p.ex. à l'aide de masques, ou de foyers multiples
073
Détermination de la configuration du spot laser
[IPC code unknown for B23K 26/0622]
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23
MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
K
BRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
101
Objets fabriqués par brasage, soudage ou découpage
36
Dispositifs électriques ou électroniques
40
Dispositifs semi-conducteurs
Déposants :
INNOLAS SOLUTIONS GMBH [DE/DE]; Pionierstraße 6 82152 Krailling, DE
Inventeurs :
BÖHME, Rico; DE
WEBER, Daniel; DE
Mandataire :
PFENNING, MEINIG & PARTNER MBB; Theresienhöhe 11a 80339 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2014 213 775.615.07.2014DE
Titre (EN) METHOD AND DEVICE FOR THE LASER-BASED WORKING OF TWO-DIMENSIONAL, CRYSTALLINE SUBSTRATES, IN PARTICULAR SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF D'USINAGE AU LASER DE SUBSTRATS PLATS CRISTALLINS, NOTAMMENT DE SUBSTRATS SEMICONDUCTEURS
(DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM LASERBASIERTEN BEARBEITEN VON FLÄCHIGEN, KRISTALLINEN SUBSTRATEN, INSBESONDERE VON HALBLEITERSUBSTRATEN
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a method for the laser-based working of a two-dimensional, crystalline substrate in order to separate the substrate into a number of parts, in which the laser beam (2a, 2f) of a laser (3) for working the substrate (1) is directed onto the latter, in which an optical arrangement (6) positioned in the path of rays of the laser (3) is used to form from the laser beam (2a) radiated onto the optical arrangement (6), on the side on which the beam emerges from it, a laser beam focal area (2f) with an extent both along the direction of the beam (z) and in just one first direction (y) transverse to the direction of the beam (z) but not with an extent in a second direction (x) that is perpendicular both to the first direction (y) and to the direction of the beam (z), wherein the substrate (1) is positioned in relation to the laser beam focal area (2f) in such a way that the laser beam focal area (2f) produces an induced absorption inside the substrate (1) along an extended portion of the area (2c) of the substrate material, as a result of which induced cracks are formed in the substrate material along this extended portion of the area (2c).
(FR) La présente invention concerne un procédé d'usinage au laser d'un substrat plat cristallin en vue de séparer le substrat en plusieurs parties, procédé selon lequel le faisceau laser (2a, 2f) d'un laser (3) est dirigé sur le substrat (1) pour l'usinage de ce dernier. Selon le procédé, un foyer de faisceau laser (2f) allongé à la fois le long de la direction du faisceau (z) et dans exactement une première direction (y) perpendiculaire à la direction du faisceau (z), mais cependant pas dans une deuxième direction (x) qui est perpendiculaire à la fois à la première direction (y) et à la direction du faisceau (z), est formé du côté de sortie de faisceau d'un arrangement optique (6) avec l'arrangement optique (6) positionné dans le trajet du faisceau du laser (3) à partir du dernier faisceau laser (2a) injecté. Le substrat (1) est positionné de telle sorte par rapport au foyer de faisceau laser (2f) que le foyer de faisceau laser (2f) génère à l'intérieur du substrat (1), le long d'une portion de surface allongée (2c) du matériau du substrat, une absorption induite par laquelle des fissures induites dans le matériau de substrat se forment le long de cette portion de surface allongée (2c).
(DE) Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum laserbasierten Bearbeiten eines flächigen, kristallinen Substrats, um das Substrat in mehrere Teile zu trennen, bei dem der Laserstrahl (2a, 2f) eines Lasers (3) zum Bearbeiten des Substrats (1) auf letzteres gerichtet wird, bei dem mit einer im Strahlengang des Lasers (3) positionierten optischen Anordnung (6) aus dem auf letztere eingestrahlten Laserstrahl (2a) strahlausgangsseitig der optischen Anordnung (6) eine sowohl längs der Strahlrichtung (z) gesehen als auch in genau eine erste Richtung (y) senkrecht zur Strahlrichtung (z) gesehen ausgedehnte, jedoch nicht in eine zweite Richtung (x), die sowohl senkrecht zur ersten Richtung (y) als auch zur Strahlrichtung (z) ist, ausgedehnte Laserstrahlbrennfläche (2f) geformt wird, wobei das Substrat (1) relativ zur Laserstrahlbrennfläche (2f) so positioniert wird, dass die Laserstrahlbrennfläche (2f) im Inneren des Substrats (1) entlang eines ausgedehnten Flächenabschnitts (2c) des Substratmaterials eine induzierte Absorption erzeugt, durch die entlang dieses ausgedehnten Flächenabschnitts (2c) induzierte Rissbildungen im Substratmaterial erfolgen.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)