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1. (WO2016008326) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP TUNNEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/008326 N° de la demande internationale : PCT/CN2015/077666
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 28.04.2015
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
Déposants :
华为技术有限公司 HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 龙岗区坂田华为总部办公楼 Huawei Administration Building, Bantian, Longgang Shenzhen, Guangdong 518129, CN
Inventeurs :
杨喜超 YANG, Xichao; CN
赵静 ZHAO, Jing; CN
张臣雄 ZHANG, Chenxiong; CN
Mandataire :
广州三环专利代理有限公司 GUANGZHOU SCIHEAD PATENT AGENT CO., LTD.; 中国广东省广州市 越秀区先烈中路80号汇华商贸大厦1508室 Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building, No. 80, XianLie Zhong Road, Yuexiu Guangzhou, Guangdong 510070, CN
Données relatives à la priorité :
201410336815.715.07.2014CN
Titre (EN) TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP TUNNEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 隧穿场效应晶体管及隧穿场效应晶体管的制备方法
Abrégé :
(EN) A tunnel field effect transistor (TFET), comprising: a first doping-type substrate (10); a channel (70) protruded from the middle of the first doping-type substrate; a source area (20) provided on the first doping-type substrate around the channel; an epitaxial layer (30) provided in the source region around the channel; a gate dielectric layer (40) provided on the epitaxial layer around the channel; a gate electrode region (50) provided around the gate dielectric layer; and a drain region (60) provided at the end portion of the channel away from the substrate. The TFET has higher drive current, a steep subthreshold amplitude, small leakage current and high chip integration density.
(FR) L'invention concerne un transistor à effet de champ tunnel (TFET), comprenant : un substrat à premier type de dopage (10) ; un canal (70) saillant au milieu du substrat à premier type de dopage ; une zone de source (20) disposée sur le substrat à premier type de dopage autour du canal ; une couche épitaxiale (30) disposée dans la zone de source autour du canal ; une couche de diélectrique de grille (40) disposée sur la couche épitaxiale autour du canal ; une zone d'électrode de grille (50) disposée autour de la couche de diélectrique de grille ; et une zone de drain (60) disposée au niveau de la partie d'extrémité du canal à l'opposé du substrat. Le TFET possède un courant d'attaque plus élevé, une forte amplitude infraliminaire, un faible courant de fuite et une haute densité d'intégration sur puce.
(ZH) 一种隧穿场效应晶体管其包括:第一掺杂类型衬底(10);沟道(70),凸出设置于第一掺杂类型衬底中部;源区(20),设置于第一掺杂类型衬底上,且围绕沟道设置;外延层(30),设置于源区上,围绕沟道设置;栅介质层(40),设置于外延层上,且围绕沟道设置;栅极区(50),围绕设置于栅介质层上;以及漏区(60),设置在沟道远离衬底的端部。隧穿场效应晶体管具有较高的驱动电流,陡直的亚阈值摆幅,较小的泄漏电流以及较高的芯片集成密度。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)