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1. (WO2016008197) SUBSTRAT DE RÉSEAU ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/008197 N° de la demande internationale : PCT/CN2014/084834
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 20.08.2014
CIB :
H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 21/77 (2006.01) ,G02F 1/133 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.[CN/CN]; No.9-2, Tangming Road, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventeurs : CHAI, Li; CN
Mandataire : YUHONG INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; WU, Dajian/LIU, Hualian West Wing, Suite 713, One Junefield Plaza 6 Xuanwumenwai Street, Xicheng District Beijing 100052, CN
Données relatives à la priorité :
201410342978.617.07.2014CN
Titre (EN) ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) SUBSTRAT DE RÉSEAU ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 阵列基板及其制造方法
Abrégé : front page image
(EN) An array substrate and a manufacturing method therefor. The manufacturing method comprises: a substrate (21) is provided; a plurality of pixel structures are formed on a display area. A manufacturing method for at least one pixel structure comprises: a patterned first metal layer (22), a gate insulating layer (23) and a patterned second metal layer (24) are sequentially formed on the substrate (21). The patterned first metal layer (22) comprises a gate line (221) and a floating metal pattern (222) arranged so as to be insulated from the gate line (221), and the patterned second metal layer (24) comprises a data line (241), a source (242) and a drain (243), the data line (241) being arranged so as to correspond to the floating metal pattern (222) via the gate insulating layer (23). The array substrate increases the capacitance for storing static electricity produced by bombardment of the second metal layer (24) by a dry etching plasma, and prevents electrostatic breakdown caused by insufficient capacitance storage capability.
(FR) L'invention concerne un substrat de réseau et son procédé de fabrication. Le procédé de fabrication comprend : la fourniture d'un substrat (21); la formation d'une pluralité de structures de pixel sur une surface d'affichage. Un procédé de fabrication pour au moins une structure de pixel comprend : la formation séquentielle sur le substrat (21) d'une première couche métallique à motif (22), d'une couche isolante de grille (23) et d'une seconde couche métallique à motif (24). La première couche métallique à motif (22) comprend une ligne de grille (221) et un motif métallique flottant (222) agencé de manière à être isolé de la ligne de grille (221) et la seconde couche métallique à motif (24) comprend une ligne de données (241), une source (242) et un drain (243), la ligne de données (241) étant agencée de manière à correspondre au motif métallique flottant (222) via la couche isolante grille (23). Le substrat de réseau augmente la capacité de stockage d'électricité statique produite par bombardement de la seconde couche métallique (24) par un plasma de gravure sèche et empêche un claquage électrostatique provoqué par une aptitude de stockage de capacité insuffisante.
(ZH) 一种阵列基板及其制造方法,该制造方法包括:提供一基板(21);形成多个像素结构在显示区域,至少一个像素结构的制造方法包括:在基板(21)上依次形成图案化第一金属层(22)、栅极绝缘层(23)以及图案化第二金属层(24),其中,图案化第一金属层(22)包括栅线(221)和与栅线(221)绝缘设置的浮动金属图案(222),图案化第二金属层(24)包括数据线(241)、源极(242)和漏极(243),数据线(241)经由栅极绝缘层(23)与浮动金属图案(222)对应设置。该阵列基板能够增大对由干刻电浆轰击第二金属层(24)所产生的静电进行存储的电容,防止由电容存储能力不足而导致静电击穿。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)