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1. (WO2016008083) LASER À ÉMISSION PAR LA SURFACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/008083    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/082201
Date de publication : 21.01.2016 Date de dépôt international : 15.07.2014
CIB :
H01S 5/183 (2006.01)
Déposants : HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; Huawei Administration Building, Bantian, Longgang Shenzhen, Guangdong 518129 (CN)
Inventeurs : WU, Bo; (CN)
Mandataire : GUANGZHOU SCIHEAD PATENT AGENT CO.. LTD.; Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No. 80, XianLie Zhong Road, Yuexiu Guangzhou, Guangdong 510070 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER
(FR) LASER À ÉMISSION PAR LA SURFACE
(ZH) 一种垂直腔面发射激光器VCSEL
Abrégé : front page image
(EN)A vertical cavity surface emitting laser (VCSEL), comprising a bottom-up epitaxial layer structure; a group of p-type doped distributed Bragg reflectors in the bottom-up epitaxial layer structure form a double-oxide layer resonance leakage cavity such that light energy is concentrated in the double-oxide layer resonance leakage cavity in an LP11 lasing mode when the VCSEL lases, and the gain is reduced in the LP11 lasing mode, thus ensuring that the LP01 lasing mode is the main lasing mode of the VCSEL; an absorption layer in the bottom-up epitaxial layer structure is used to form an annular fence for absorbing the light energy in the LP11 lasing mode, thus ensuring output light power in the LP01 lasing mode. Therefore, the VCSEL in an embodiment has a simple manufacturing process and high reliability, and improves output light power.
(FR)L'invention concerne un laser à émission par la surface (laser VCSEL), comprenant une structure de couche épitaxiale ascendante ; un groupe de réflecteurs de Bragg distribués à dopage de type P dans la structure de couche épitaxiale ascendante qui forme une cavité de fuite de résonance à double couche d'oxyde de telle sorte que l'énergie lumineuse est concentrée dans la cavité de fuite de résonance à double couche d'oxyde dans un mode d'émission laser LP11 lorsque le laser VCSEL émet des faisceaux laser, et le gain est réduit dans le mode d'émission laser LP11, garantissant ainsi que le mode d'émission laser LP01 est le mode d'émission laser principal du laser VCSEL ; une couche d'absorption dans la structure de couche épitaxiale ascendante qui est utilisée pour former une barrière annulaire destinée à absorber l'énergie lumineuse dans le mode d'émission laser LP11, ce qui permet de garantir une puissance de lumière de sortie dans le mode d'émission laser LP01. Par conséquent, le laser VCSEL selon un mode de réalisation présente un procédé de fabrication simple et une fiabilité élevée, et améliore la puissance de lumière de sortie.
(ZH)一种垂直腔面发射激光器VCSEL,VCSEL包括自下而上的外延层结构,且自下而上的外延层结构中的一组p型掺杂的分布式布拉格反射镜形成了双氧化层谐振泄漏腔以便在VCSEL发生激射时使LP11激射模式下的光能集中在双氧化层谐振泄漏腔内且降低LP11激射模式下的增益,从而保证了LP01激射模式为VCSEL的主激射模式,且自下而上的外延层结构中的吸收层用于形成环形栅栏,环形栅栏用于吸收LP11激射模式下的光能,从而保证了LP01激射模式下的输出光功率。可见,实施例中的VCSEL制备工艺简单、可靠性高且提高了输出光功率。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)