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1. (WO2016007733) ÉLIMINATION D'OXYDE EN PHASE GAZEUSE ET PASSIVATION DE SEMI-CONDUCTEURS CONTENANT DU GERMANIUM ET DE SEMI-CONDUCTEURS COMPOSÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/007733 N° de la demande internationale : PCT/US2015/039726
Date de publication : 14.01.2016 Date de dépôt international : 09.07.2015
CIB :
H01L 21/302 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
Déposants :
TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-6325, JP
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC. [US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, Texas 78741, US (JP)
Inventeurs :
GAYLORD, Richard H.; US
BARNETT, Joel; US
Mandataire :
LUDVIKSSON, Audunn; US
Données relatives à la priorité :
62/022,82710.07.2014US
Titre (EN) GAS PHASE OXIDE REMOVAL AND PASSIVATION OF GERMAINIUM-CONTAINING SEMICONDUCTORS AND COMPOUND SEMICONDUCTORS
(FR) ÉLIMINATION D'OXYDE EN PHASE GAZEUSE ET PASSIVATION DE SEMI-CONDUCTEURS CONTENANT DU GERMANIUM ET DE SEMI-CONDUCTEURS COMPOSÉS
Abrégé :
(EN) A method for gas phase oxide removal and passivation of germanium-containing semiconductors and compound semiconductors are disclosed in various embodiments. According to one embodiment of the invention, a method is provided for processing a semiconductor substrate. The method includes providing a substrate containing a germanium-containing semiconductor or a compound semiconductor, and exposing the substrate to a process gas containing a sulfur-containing gas and a nitrogen-containing gas that passivates a surface of the germanium-containing semiconductor or the compound semiconductor with sulfur. According to another embodiment, the germanium-containing semiconductor or the compound semiconductor has an oxidized layer thereon and the exposing to the process gas removes the oxidized layer from the substrate. According to another embodiment, the substrate may be treated with hydrogen fluoride (HF) gas and ammonia (NH3) gas to remove the oxidized layer from the substrate before passivating the germanium-containing semiconductor or compound semiconductor with sulfur.
(FR) Selon divers modes de réalisation, la présente invention concerne un procédé d'élimination d'oxyde en phase gazeuse et de passivation de semi-conducteurs contenant du germanium et de semi-conducteurs composés. Selon un mode de réalisation, l'invention concerne un procédé de traitement d'un substrat semi-conducteur. Le procédé consiste à utiliser un substrat contenant un semi-conducteur contenant du germanium ou un semi-conducteur composé, et à exposer le substrat à un gaz de traitement contenant un gaz contenant du soufre et un gaz contenant de l'azote, qui entraîne une passivation d'une surface du semi-conducteur contenant du germanium ou du semi-conducteur composé au moyen du soufre. Selon un autre mode de réalisation, une couche oxydée est présente sur le semi-conducteur contenant du germanium ou sur le semi-conducteur composé et l'exposition au gaz de traitement élimine la couche oxydée du substrat. Selon un autre mode de réalisation, le substrat peut être traité au moyen d'un gaz de fluorure d'hydrogène (HF) et d'un gaz ammoniac (NH3), de sorte à éliminer la couche oxydée du substrat avant la passivation du semi-conducteur contenant du germanium ou du semi-conducteur composé au moyen du soufre.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)