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1. (WO2016007716) DISPOSITIF DE DÉTECTION DE FAIBLE VOLUME D'ÉCHANTILLON
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/007716 N° de la demande internationale : PCT/US2015/039695
Date de publication : 14.01.2016 Date de dépôt international : 09.07.2015
CIB :
G01F 1/24 (2006.01) ,G01F 1/64 (2006.01) ,H01L 23/485 (2006.01) ,H01L 29/732 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
F
MESURE DES VOLUMES, DES DÉBITS VOLUMÉTRIQUES, DES DÉBITS MASSIQUES OU DU NIVEAU DES LIQUIDES; COMPTAGE VOLUMÉTRIQUE
1
Mesure du débit volumétrique ou du débit massique d'un fluide ou d'un matériau solide fluent, dans laquelle le fluide passe à travers le compteur par un écoulement continu
05
en utilisant des effets mécaniques
20
par détection des effets dynamiques du courant de fluide
22
par débitmètres à section variable
24
avec accouplement magnétique ou électrique au dispositif indicateur
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
F
MESURE DES VOLUMES, DES DÉBITS VOLUMÉTRIQUES, DES DÉBITS MASSIQUES OU DU NIVEAU DES LIQUIDES; COMPTAGE VOLUMÉTRIQUE
1
Mesure du débit volumétrique ou du débit massique d'un fluide ou d'un matériau solide fluent, dans laquelle le fluide passe à travers le compteur par un écoulement continu
56
en utilisant des effets électriques ou magnétiques
64
en mesurant des courants électriques passant à travers le courant de fluide; en mesurant le potentiel électrique produit par le courant de fluide, p.ex. par effet électrochimique, effet de contact ou effet de frottement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
482
formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
485
formées de structures en couches comprenant des couches conductrices et isolantes, p.ex. contacts planaires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70
Dispositifs bipolaires
72
Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
73
Transistors bipolaires à jonction
732
Transistors verticaux
Déposants :
SIEMENS HEALTHCARE DIAGNOSTICS INC. [US/US]; 511 Benedict Avenue Tarrytown, New York 10591, US
Inventeurs :
SAMPRONI, Jennifer A.; US
Mandataire :
PETAJA, Kyle D.; US
Données relatives à la priorité :
62/022,37609.07.2014US
Titre (EN) LOW SAMPLE VOLUME SENSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE DÉTECTION DE FAIBLE VOLUME D'ÉCHANTILLON
Abrégé :
(EN) In one aspect, the inventive concepts disclosed herein are directed to a sensor assembly which contains a first planar substrate and a second planar substrate which respectively support opposing sensor arrays and contains an integrated flow path extending between the first and second substrates. Sensor assembly contains a first planar substrate having a base layer, and a conductive layer formed on a first planar surface of the base layer. Base layer may be made from, for example, ceramic, polymer, foil, or any other type of material known to someone of ordinary skill in the art. Conductive layer contains at least at least two electrically isolated electrical contacts made, for example, using a thick film approach (e.g., screen printing, rotogravure, pad printing, stenciling conductive material such as carbon, Cu, Pt, Pd, Au, and/or Nanotubes, etc.) or a thin firm approach (e.g., by sputtering, thermal spraying, and/or cold spraying conductive material).
(FR) La présente invention porte, selon un aspect, sur un ensemble capteur qui contient un premier substrat plan et un second substrat plan qui supportent respectivement des groupements de capteurs opposés et qui contiennent une trajectoire d'écoulement intégrée s'étendant entre les premier et second substrats. L'ensemble capteur comprend un premier substrat plan comprenant une couche de base, et une couche conductrice formée sur une première surface plane de la couche de base. La couche de base peut être réalisée, par exemple, en une céramique, un polymère, une feuille, ou tout autre type de matériau connu d'une personne ayant une connaissance ordinaire de la technique. La couche conductrice contient au moins deux contacts électriques électriquement isolés réalisés, par exemple, à l'aide d'une approche de type couche épaisse (par exemple, par sérigraphie, rotogravure, tampographie, impression au pochoir d'un matériau conducteur tel que le carbone, Cu, Pt, Pd, Au, et/ou des nanotubes, etc.) ou d'une approche de type couche mince (par exemple, par pulvérisation cathodique, pulvérisation thermique, et/ou pulvérisation à froid d'un matériau conducteur).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)