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1. (WO2016007487) PROCÉDÉ DE DÉPÔT SÉLECTIF D'UNE COUCHE SUR UNE STRUCTURE TRIDIMENSIONNELLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/007487 N° de la demande internationale : PCT/US2015/039345
Date de publication : 14.01.2016 Date de dépôt international : 07.07.2015
CIB :
H01L 21/265 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263
par des radiations d'énergie élevée
265
produisant une implantation d'ions
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
Déposants :
RUFFELL, Simon [US/US]; US
OMSTEAD, Thomas, R. [US/US]; US
RENAU, Anthony [US/US]; US
VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, MA 01930, US
Inventeurs :
RUFFELL, Simon; US
OMSTEAD, Thomas, R.; US
RENAU, Anthony; US
Mandataire :
DAISAK, Daniel, N.; US
Données relatives à la priorité :
14/324,90707.07.2014US
14/336,89321.07.2014US
62/021,49107.07.2014US
Titre (EN) METHOD FOR SELECTIVELY DEPOSITING A LAYER ON A THREE DIMENSIONAL STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT SÉLECTIF D'UNE COUCHE SUR UNE STRUCTURE TRIDIMENSIONNELLE
Abrégé :
(EN) A method may include providing a substrate having a surface that defines a substrate plane and a substrate feature that extends from the substrate plane; directing an ion beam comprising angled ions to the substrate at a non-zero angle with respect to a perpendicular to the substrate plane, wherein a first portion of the substrate feature is exposed to the ion beam and wherein a second portion of the substrate feature is not exposed to the ion beam; directing molecules of a molecular species to the substrate wherein the molecules of the molecular species cover the substrate feature; and providing a second species to react with the molecular species, wherein selective growth of a layer comprising the molecular species and the second species takes place such that a first thickness of the layer grown on the first portion is different from a second thickness grown on the second portion.
(FR) La présente invention concerne un procédé pouvant consister à utiliser un substrat présentant une surface qui délimite un plan du substrat et une caractéristique du substrat qui s'étend à partir du plan du substrat ; à diriger un faisceau d'ions comprenant des ions inclinés sur le substrat à un angle non nul par rapport à une perpendiculaire au plan du substrat, une première partie de la caractéristique du substrat étant exposée au faisceau d'ions et une seconde partie de la caractéristique du substrat n'étant pas exposée au faisceau d'ions ; à diriger des molécules d'une espèce moléculaire sur le substrat, les molécules de l'espèce moléculaire recouvrant la caractéristique du substrat ; et à mettre une seconde espèce en réaction avec l'espèce moléculaire, une croissance sélective d'une couche comprenant l'espèce moléculaire et la seconde espèce se produisant, de sorte qu'une première épaisseur de la couche développée sur la première partie soit différente d'une seconde épaisseur développée sur la seconde partie.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)