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1. (WO2016007315) COUCHE DE CONTACT D'OXYDE D'ALUMINIUM POUR DES CANAUX CONDUCTEURS POUR UN DISPOSITIF DE CIRCUIT EN TROIS DIMENSIONS

Pub. No.:    WO/2016/007315    International Application No.:    PCT/US2015/037999
Publication Date: Fri Jan 15 00:59:59 CET 2016 International Filing Date: Sat Jun 27 01:59:59 CEST 2015
IPC: H01L 27/115
H01L 21/8247
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: ZHU, Hongbin
HALLER, Gordon
SIMSEK-EGE, Fatma
Title: COUCHE DE CONTACT D'OXYDE D'ALUMINIUM POUR DES CANAUX CONDUCTEURS POUR UN DISPOSITIF DE CIRCUIT EN TROIS DIMENSIONS
Abstract:
L'invention concerne une pile de cellules de mémoire à étages multiples présentant une couche d'oxyde d'aluminium (AlOx) en tant que couche HiK noble afin d'obtenir une sélectivité d'arrêt de gravure. Chaque étage de l'empilement comprend un dispositif de cellule de mémoire. Le circuit comporte une couche polycristalline de sélection de grille source (SGS poly) adjacente à la pile de cellules de mémoire à étages multiples, la couche SGS poly devant fournir un signal de sélection de grille pour les cellules de mémoire de l'empilement à étages multiples. Le circuit comprend également une couche source conductrice pour fournir un conducteur source pour un canal pour les étages de la pile. La couche AlOx est disposée entre la couche source et la couche SGS poly et fournit à la fois une sélectivité de gravure à sec et une sélectivité de gravure humide pour créer un canal destiné à coupler électriquement les cellules de mémoire à la couche source.