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1. (WO2016007315) COUCHE DE CONTACT D'OXYDE D'ALUMINIUM POUR DES CANAUX CONDUCTEURS POUR UN DISPOSITIF DE CIRCUIT EN TROIS DIMENSIONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/007315    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/037999
Date de publication : 14.01.2016 Date de dépôt international : 26.06.2015
CIB :
H01L 27/115 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : ZHU, Hongbin; (US).
HALLER, Gordon; (US).
SIMSEK-EGE, Fatma; (US)
Mandataire : ANDERSON, Vincent; (US)
Données relatives à la priorité :
14/329,644 11.07.2014 US
Titre (EN) ALUMINUM OXIDE LANDING LAYER FOR CONDUCTIVE CHANNELS FOR A THREE DIMENSIONAL CIRCUIT DEVICE
(FR) COUCHE DE CONTACT D'OXYDE D'ALUMINIUM POUR DES CANAUX CONDUCTEURS POUR UN DISPOSITIF DE CIRCUIT EN TROIS DIMENSIONS
Abrégé : front page image
(EN)A multitier stack of memory cells having an aluminum oxide (AlOx) layer as a noble HiK layer to provide etch stop selectivity. Each tier of the stack includes a memory cell device. The circuit includes a source gate select polycrystalline (SGS poly) layer adjacent the multitier stack of memory cells, wherein the SGS poly layer is to provide a gate select signal for the memory cells of the multitier stack. The circuit also includes a conductive source layer to provide a source conductor for a channel for the tiers of the stack. The AlOx layer is disposed between the source layer and the SGS poly layer and provides both dry etch selectivity and wet etch selectivity for creating a channel to electrically couple the memory cells to the source layer.
(FR)L'invention concerne une pile de cellules de mémoire à étages multiples présentant une couche d'oxyde d'aluminium (AlOx) en tant que couche HiK noble afin d'obtenir une sélectivité d'arrêt de gravure. Chaque étage de l'empilement comprend un dispositif de cellule de mémoire. Le circuit comporte une couche polycristalline de sélection de grille source (SGS poly) adjacente à la pile de cellules de mémoire à étages multiples, la couche SGS poly devant fournir un signal de sélection de grille pour les cellules de mémoire de l'empilement à étages multiples. Le circuit comprend également une couche source conductrice pour fournir un conducteur source pour un canal pour les étages de la pile. La couche AlOx est disposée entre la couche source et la couche SGS poly et fournit à la fois une sélectivité de gravure à sec et une sélectivité de gravure humide pour créer un canal destiné à coupler électriquement les cellules de mémoire à la couche source.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)