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1. (WO2016007254) DISPOSITIF À MÉMOIRE NON VOLATIL PROGRAMMABLE PLUSIEURS FOIS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/007254    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/035271
Date de publication : 14.01.2016 Date de dépôt international : 11.06.2015
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    04.05.2016    
CIB :
H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/51 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01), H01L 27/112 (2006.01), G11C 16/10 (2006.01), G11C 16/26 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : LI, Xia; (US).
XU, Jeffrey Junhao; (US).
LU, Xiao; (US).
NOWAK, Matthew Michael; (US).
KANG, Seung Hyuk; (US).
CHEN, Xiaonan; (US).
WANG, Zhongze; (US).
LU, Yu; (US)
Mandataire : TOLER, Jeffrey G.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/023,474 11.07.2014 US
14/602,090 21.01.2015 US
Titre (EN) NON-VOLATILE MULTIPLE TIME PROGRAMMABLE MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF À MÉMOIRE NON VOLATIL PROGRAMMABLE PLUSIEURS FOIS
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus includes a multiple time programmable (MTP) memory device. The MTP memory device includes a metal gate, a substrate material, and an oxide structure between the metal gate and the substrate material. The oxide structure includes a hafnium oxide layer and a silicon dioxide layer. The hafnium oxide layer is in contact with the metal gate and in contact with the silicon dioxide layer. The silicon dioxide layer is in contact with the substrate material. The MTP device includes a transistor, and a non-volatile state of the MTP memory device is based on a threshold voltage of the transistor.
(FR)Dans cette invention, un appareil comprend un dispositif à mémoire programmable plusieurs fois (MTP). Ledit dispositif à mémoire MTP comprend une grille métallique, une matière formant substrat et une structure d'oxyde entre la grille métallique et la matière formant substrat. La structure d'oxyde comporte une couche d'oxyde d'hafnium et une couche de dioxyde de silicium. La couche d'oxyde d'hafnium est en contact avec la grille métallique et en contact avec la couche de dioxyde de silicium. La couche de dioxyde de silicium est en contact avec la matière formant substrat. Le dispositif à mémoire MTP possède un transistor, et un état non volatil dudit dispositif est basé sur une tension de seuil du transistor.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)