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1. (WO2016007221) TECHNIQUE DE RÉDUCTION DE PUISSANCE DE LIAISON POUR LA TRANSMISSION DE DONNÉES À L'AIDE DE MODULATION D'AMPLITUDE D'IMPULSION BIPOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/007221    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/030992
Date de publication : 14.01.2016 Date de dépôt international : 15.05.2015
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.11.2015    
CIB :
H04L 25/02 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : MISHRA, Lalan Jee; (US).
HOLLIS, Timothy Mowry; (US)
Mandataire : ESSIG, Daniel L.; (US).
ROBERTSON, Daniel K.; c/o Procopio, Cory, Hargreaves & Savitch LLP 525 B Street, Suite 2200 San Diego, CA 92101 (US)
Données relatives à la priorité :
14/328,556 10.07.2014 US
Titre (EN) DATA LINK POWER REDUCTION TECHNIQUE USING BIPOLAR PULSE AMPLITUDE MODULATION
(FR) TECHNIQUE DE RÉDUCTION DE PUISSANCE DE LIAISON POUR LA TRANSMISSION DE DONNÉES À L'AIDE DE MODULATION D'AMPLITUDE D'IMPULSION BIPOLAIRE
Abrégé : front page image
(EN)High-speed data links between a processor and off-chip DRAM utilizes pulse-amplitude-modulation (PAM) signaling to increase data rate for a given bandwidth and resource budget in SoCs. However, the termination resistor used in the transmission line interface between processor and DRAM consumes large amounts of power during PAM signaling. By adding a biasing source between Ground and the termination resistor, the "floor voltage" that the termination resistor uses as a reference for determining signaling levels may be raised. Raising the floor voltage reduces the amount of voltage across the termination resistor and reduces power consumption accordingly. The biasing source is adjusted to various increments of the maximum amplitude of the PAM signaling. A floor voltage of one-half of the maximum amplitude of PAM signaling produces minimum power consumption in the receiver. Additionally, data inversion pre-coding may be concatenated with the floor voltage adjustment to further maximize power savings of the interface.
(FR)Selon l'invention, des liaisons pour la transmission de données à grande vitesse entre un processeur et une mémoire vive dynamique (DRAM) hors-puce mettent en œuvre une émission de signal de modulation d'amplitude d'impulsion (PAM) pour augmenter le débit de données, pour une largeur de bande et un budget de ressources donnés, dans des systèmes sur puce (SoCs). Cependant, la résistance de terminaison utilisée dans l'interface de ligne de transmission entre le processeur et la mémoire DRAM consomme de grandes quantités de puissance lors d'émission de signal de modulation PAM. En ajoutant une source de polarisation entre la terre et la résistance de terminaison, on peut élever la "tension plancher" que la résistance de terminaison utilise en tant que référence pour déterminer des niveaux de signalisation. L'élévation de la tension plancher réduit la quantité de tension à travers la résistance de terminaison et réduit la consommation d'énergie en conséquence. La source de polarisation est réglée sur divers incréments d'amplitude maximale de l'émission de signal de modulation PAM. Une tension plancher d'une moitié de l'amplitude maximale d'émission de signal de modulation PAM produit une consommation d'énergie minimale dans le récepteur. En outre, un pré-codage par inversion de données peut être concaténé avec le réglage de la tension plancher afin de maximiser encore les économies d'énergie de l'interface.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)