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1. (WO2016006789) DISPOSITIF DE RÉACTION AU PLASMA À BASSE PRESSION POUR LE TRAITEMENT DE FLUIDE D'ÉCHAPPEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/006789    N° de la demande internationale :    PCT/KR2015/002222
Date de publication : 14.01.2016 Date de dépôt international : 09.03.2015
CIB :
H05H 1/46 (2006.01), C23C 16/505 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : CLEAN FACTORS CO., LTD. [KR/KR]; Dongtangiheung-ro 90-50, Dongtan-myeon Hwaseong-si Gyeonggi-do 445-811 (KR).
NOH, Myungkeun [KR/KR]; (KR).
MOON, Kyungsun [KR/KR]; (KR)
Inventeurs : NOH, Myungkeun; (KR).
MOON, Kyungsun; (KR).
KO, Gyoung O; (KR)
Mandataire : MOON, Hwan-Goo; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2014-0084254 07.07.2014 KR
10-2015-0026270 25.02.2015 KR
Titre (EN) LOW-PRESSURE PLASMA REACTION DEVICE FOR TREATING EXHAUST FLUID
(FR) DISPOSITIF DE RÉACTION AU PLASMA À BASSE PRESSION POUR LE TRAITEMENT DE FLUIDE D'ÉCHAPPEMENT
(KO) 배기유체 처리용 저압 플라즈마 반응장치
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a low-pressure plasma reaction device for treating an exhaust fluid even when an exhaust fluid of a process chamber contains fluoride- or chloride-based gas, the device comprising a magnetic field generation unit and a housing such that the exhaust fluid can be continuously treated by minimizing surface etching inside a dielectric due to ion collision and safely treated by having a dual chamber structure. To this end, provided is the low-pressure plasma reactor to which a value of a magnetic field, which induces a decrease in the surface etching of the dielectric due to plasma ions, is optimized and applied and of which the housing physically seals a dielectric tube, a driving electrode surrounding the outer surface of the dielectric tube in a ring shape, and the magnetic field generation unit, and can be shielded from electromagnetism.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de réaction au plasma à basse pression permettant le traitement de fluide d'échappement même lorsqu'un fluide d'échappement d'une chambre de traitement contient un gaz à base de fluorure ou de chlorure, le dispositif comprenant une unité de génération de champ magnétique et un boîtier de telle sorte que le fluide d'échappement peut être traité en continu en réduisant au minimum la gravure de surface à l'intérieur d'un diélectrique en raison de la collision d'ions et traité sans risque en ayant une structure à double chambre. A cet effet, la présente invention porte sur le réacteur au plasma à basse pression pour lequel une valeur d'un champ magnétique, qui induit une diminution dans la gravure de surface du diélectrique due à des ions de plasma, est optimisée et appliquée et dont le boîtier scelle physiquement un tube diélectrique, une électrode de commande entourant la surface extérieure du tube diélectrique sous une forme d'anneau, et l'unité de génération de champ magnétique, et peut être protégé vis-à-vis de l'électromagnétisme.
(KO)본 발명은 공정 챔버의 배기유체가 불소계 또는 염소계 가스를 포함할 경우에도 이를 처리하는 저압 플라즈마 반응장치에서 이온충돌에 의한 유전체 내부 표면 식각을 최소화하여 지속적인 배기유체 처리가 가능하고, 이중 챔버 구조를 갖추어 안전한 처리가 가능하도록 자기장 발생부 및 하우징을 구비한 장치에 관한 것이다. 이를 위해 플라즈마 이온에 의한 유전체 표면 식각 저감을 유도하는 자기장 값을 최적화하여 적용하였고, 하우징은 유전체 튜브와 그 외면을 고리모양으로 감싸는 구동전극 및 자기장 발생부를 물리적으로 밀봉할 뿐 아니라 전자기 차폐가 가능한 저압 플라즈마 반응장치를 제공한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)