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1. (WO2016006753) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE LAVAGE DE SURFACE DE PLAQUETTE TRIDIMENSIONNELLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/006753 N° de la demande internationale : PCT/KR2014/007857
Date de publication : 14.01.2016 Date de dépôt international : 25.08.2014
CIB :
H01L 21/302 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683
pour le maintien ou la préhension
Déposants : IMT CO., LTD[KR/KR]; IMT CO., LTD Hwaseong-si Gyeonggi-do 445-811, KR
Inventeurs : LEE, Jong Myoung; KR
LEE, Kyu-pil; KR
Mandataire : RYU, Changyeol; KR
Données relatives à la priorité :
10-2014-008423707.07.2014KR
Titre (EN) THREE-DIMENSIONAL WAFER SURFACE WASHING METHOD AND DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE LAVAGE DE SURFACE DE PLAQUETTE TRIDIMENSIONNELLE
(KO) 3차원 웨이퍼 표면 세정 방법 및 장치
Abrégé :
(EN) Disclosed is a three-dimensional wafer surface washing device for removing foreign substances present on the surface of a three-dimensional wafer having a three-dimensional structure formed on the surface thereof. The three-dimensional wafer surface washing device comprises: a wafer support part for supporting a three-dimensional wafer; and a CO2 dry ice spray unit forming, in a washing nozzle or in the vicinity thereof, solid CO2 dry ice through the adiabatic expansion of liquid CO2, and spraying the solid CO2 dry ice at a surface of the three-dimensional wafer through the washing nozzle, wherein the CO2 dry ice spray unit includes a liquid CO2 supply part for supplying the liquid CO2 to the washing nozzle, and an accelerated clean air supply part for supplying clean air to the washing nozzle.
(FR) L’invention concerne un dispositif de lavage de surface de plaquette tridimensionnelle pour le retrait de substances étrangères présentes sur la surface d’une plaquette tridimensionnelle dont la surface comporte une structure tridimensionnelle. Le dispositif de lavage de surface de plaquette tridimensionnelle comprend : une partie de support de plaquette pour le support d’une plaquette tridimensionnelle ; une unité de pulvérisation de glace carbonique au CO2 formant, dans une buse de lavage ou dans son voisinage, de la glace carbonique au CO2 solide par expansion adiabatique de CO2 liquide, et pulvérisant la glace carbonique au CO2 solide sur une surface de la plaquette tridimensionnelle à travers la buse de lavage, l’unité de pulvérisation de glace carbonique au CO2 incluant une partie d’introduction de CO2 liquide pour l’introduction du CO2 liquide dans la buse de lavage, et une partie d’introduction d’air propre accéléré pour l’injection d’air propre dans la buse de lavage.
(KO) 표면에 3차원 구조물이 형성된 3차원 웨이퍼의 표면에 존재하는 이물을 제거하기 위한 3차원 웨이퍼 표면 세정 장치가 개시된다. 이 3차원 웨이퍼 표면 세정 장치는, 3차원 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지부; 및 세정 노즐 또는 그 부근에서, 액체 CO2 의 단열 팽창을 통해 고체 CO2 드라이아이스를 만들어, 상기 세정 노즐을 통해, 상기 고체 CO2 드라이아이스를 상기 3차원 웨이퍼의 표면에 분사하는 CO2 드라이아이스 분사유닛을 포함하며, 상기 CO2 드라이아이스 분사유닛은 상기 세정 노즐로 액체 CO2를 공급하는 액체 CO2 공급부와, 상기 세정 노즐로 클린 에어를 공급하는 가속 클린 에어 공급부를 포함한다.
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)