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1. (WO2016006641) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE SiC, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEUR SiC, ET SUBSTRAT COMPOSITE DE GRAPHITE / CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/006641 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/069703
Date de publication : 14.01.2016 Date de dépôt international : 08.07.2015
CIB :
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/265 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263
par des radiations d'énergie élevée
265
produisant une implantation d'ions
Déposants : IBIDEN CO., LTD.[JP/JP]; 1, Kandacho 2-chome, Ogaki-shi, Gifu 5038604, JP
Inventeurs : FURUICHI Wataru; JP
OSADA Junji; JP
MIZUMUKAI Yuki; JP
Mandataire : EIKOH PATENT FIRM, P.C.; Toranomon East Bldg. 10F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003, JP
Données relatives à la priorité :
2014-14056508.07.2014JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING SiC WAFER, METHOD FOR PRODUCING SiC SEMICONDUCTOR, AND GRAPHITE-SILICON CARBIDE COMPOSITE SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE SiC, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEUR SiC, ET SUBSTRAT COMPOSITE DE GRAPHITE / CARBURE DE SILICIUM
(JA) SiCウェハの製造方法、SiC半導体の製造方法及び黒鉛炭化珪素複合基板
Abrégé :
(EN) Provided is a method for producing an SiC wafer, said method comprising: a step of preparing a graphite-silicon carbide composite substrate that has a vitreous carbon layer on the surface of a graphite substrate and a CVD-SiC layer atop the vitreous carbon layer, and preparing a single-crystal SiC substrate that has on the surface an ion injection layer into which hydrogen ions have been injected; a joining step in which a joined body is obtained by bonding the CVD-SiC layer of the graphite-silicon carbide composite substrate and the ion injection layer of the single-crystal SiC substrate; a first separation step in which a single-crystal coated substrate is obtained by heating the joined body and separating the ion injection layer from the single-crystal SiC substrate; and a second separation step in which an SiC wafer is obtained by separating the vitreous carbon layer and CVD-SiC layer of the single-crystal coated substrate.
(FR) Le procédé de fabrication de tranche SiC de l'invention est constitué : d'une étape de préparation de substrats au cours de laquelle sont préparés un substrat composite de graphite / carbure de silicium possédant une couche de carbone vitreux sur un matériau de base de graphite, et une couche CVD-SiC sur ladite couche de carbone vitreux, et un substrat SiC monocristallin possédant une couche d'injection d'ions à la surface de laquelle des ions hydrogène sont injectés; d'une étape de liaison au cours de laquelle est obtenu un corps lié par collage de la couche CVD-SiC dudit substrat composite de graphite / carbure de silicium et de la couche d'injection d'ions dudit substrat SiC monocristallin; d'une première étape de pelage au cours de laquelle ledit corps lié est chauffé, ladite couche d'injection d'ions est pelée vis-à-vis du substrat SiC monocristallin, et un substrat à revêtement monocristallin est obtenu; et d'une seconde étape de pelage au cours de laquelle ladite couche de carbone vitreux et ladite couche CVD-SiC dudit substrat à revêtement monocristallin sont pelées, et une tranche SiC est obtenue.
(JA)  黒鉛基材の表面にガラス状炭素層および前記ガラス状炭素層の上にCVD-SiC層を有する黒鉛炭化珪素複合基板と、表面に水素イオンが注入されたイオン注入層を有する単結晶SiC基板とを準備する工程と、前記黒鉛炭化珪素複合基板のCVD-SiC層と前記単結晶SiC基板のイオン注入層とを貼り合せ接合体を得る接合工程と、前記接合体を加熱し、前記イオン注入層を単結晶SiC基板から剥離し、単結晶被覆基板を得る第1剥離工程と、前記単結晶被覆基板の前記ガラス状炭素層とCVD-SiC層とを剥離しSiCウェハを得る第2剥離工程と、からなるSiCウェハの製造方法。
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)