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1. (WO2016006600) CIBLE DE PULVÉRISATION EN ALLIAGE Cu-Ga ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/006600 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/069510
Date de publication : 14.01.2016 Date de dépôt international : 07.07.2015
CIB :
C23C 14/34 (2006.01) ,B22F 1/00 (2006.01) ,C22C 9/00 (2006.01) ,C22C 28/00 (2006.01) ,C22F 1/00 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
22
FONDERIE; MÉTALLURGIE DES POUDRES MÉTALLIQUES
F
TRAVAIL DES POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION D'OBJETS À PARTIR DE POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION DE POUDRES MÉTALLIQUES; APPAREILS OU DISPOSITIFS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS AUX POUDRES MÉTALLIQUES
1
Traitement particulier des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre, d'améliorer leurs propriétés; Poudres métalliques en soi, p.ex. mélanges de particules de compositions différentes
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
22
MÉTALLURGIE; ALLIAGES FERREUX OU NON FERREUX; TRAITEMENT DES ALLIAGES OU DES MÉTAUX NON FERREUX
C
ALLIAGES
9
Alliages à base de cuivre
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
22
MÉTALLURGIE; ALLIAGES FERREUX OU NON FERREUX; TRAITEMENT DES ALLIAGES OU DES MÉTAUX NON FERREUX
C
ALLIAGES
28
Alliages à base d'un métal non mentionné dans les groupes C22C5/-C22C27/110
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
22
MÉTALLURGIE; ALLIAGES FERREUX OU NON FERREUX; TRAITEMENT DES ALLIAGES OU DES MÉTAUX NON FERREUX
F
MODIFICATION DE LA STRUCTURE PHYSIQUE DES MÉTAUX OU ALLIAGES NON FERREUX
1
Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
Déposants :
三菱マテリアル株式会社 MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区大手町一丁目3番2号 3-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117, JP
Inventeurs :
梅本 啓太 UMEMOTO Keita; JP
張 守斌 ZHANG Shoubin; JP
Mandataire :
志賀 正武 SHIGA Masatake; JP
Données relatives à la priorité :
2014-14026108.07.2014JP
2015-12399819.06.2015JP
Titre (EN) Cu-Ga ALLOY SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION EN ALLIAGE Cu-Ga ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) Cu-Ga合金スパッタリングターゲット及びその製造方法
Abrégé :
(EN)  This Cu-Ga alloy sputtering target has a component composition containing 0.1-40.0% (atom basis) of Ga with the remainder made up by Cu and unavoidable impurities, wherein the porosity of the target is 3.0% or less, the average diameter of inscribed circles of the pores is 150 μm or less, and the average crystal grain diameter of Cu-Ga alloy grains is 50 μm or less.
(FR)  Selon l'invention, une cible de pulvérisation en alliage Cu-Ga a une composition de constituants contenant 0,1 à 40,0 % (base atomique) de Ga, les reliquats étant constitués de Cu et d'impuretés inévitables, la porosité de la cible étant étant inférieur ou égal à 3,0 %, le diamètre moyen des cercles inscrits des pores étant inférieur ou égal à 150 µm, et le diamètre de grain cristallin moyen des grains de l'alliage Cu-Ga étant inférieur ou égal à 50 µm.
(JA)  本発明のCu-Ga合金スパッタリングターゲットは、Ga:0.1~40.0原子%を含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有するCu-Ga合金スパッタリングターゲットにおいて、空孔率が3.0%以下であり、空孔の外接円の平均直径が150μm以下であり、かつ、Cu-Ga合金粒の平均結晶粒径が50μm以下である。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)