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1. (WO2016006474) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE PRODUCTION, ET ÉQUIPEMENT ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/006474 N° de la demande internationale : PCT/JP2015/068451
Date de publication : 14.01.2016 Date de dépôt international : 26.06.2015
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/357 (2011.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
Déposants : SONY CORPORATION[JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
Inventeurs : HATANO Keisuke; JP
TOGASHI Hideaki; JP
Mandataire : NISHIKAWA Takashi; JP
Données relatives à la priorité :
2014-14327511.07.2014JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE, PRODUCTION METHOD, AND ELECTRONIC EQUIPMENT
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE PRODUCTION, ET ÉQUIPEMENT ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置、製造方法、および電子機器
Abrégé : front page image
(EN) The present disclosure relates to a solid-state imaging device that can achieve high charge transfer efficiency from a photoelectric conversion unit to a floating diffusion layer. The present disclosure also relates to a production method and electronic equipment. According to the present disclosure, a floating diffusion layer is arranged in a rectangular shape so as to surround a gate electrode of a vertical transistor that has a rectangular groove. A reset drain is formed so as to be adjacent to the floating diffusion layer with a reset gate therebetween, and a prescribed voltage is applied to the reset gate such that the potential of the floating diffusion layer is reset to the potential of the reset drain. The present disclosure can be applied, for example, in a CMOS solid-state imaging device that uses an imaging device such as a camera.
(FR) La présente invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteur qui peut obtenir une grande efficacité de transfert de charge d'une unité de conversion photoélectrique à une couche de diffusion flottante. La présente invention concerne également un procédé de production et un équipement électronique. Selon la présente invention, une couche de diffusion flottante est agencée sous forme rectangulaire de façon à entourer une électrode de grille d'un transistor vertical qui a une rainure rectangulaire. Un drain de réinitialisation est formé de manière à être adjacent à la couche de diffusion flottante, une grille de réinitialisation étant disposée entre ceux-ci, et une tension prescrite est appliquée à la grille de réinitialisation de telle sorte que le potentiel de la couche de diffusion flottante est réinitialisé sur le potentiel du drain de réinitialisation. La présente invention peut être appliquée, par exemple, dans un dispositif d'imagerie à semi-conducteur CMOS qui utilise un dispositif d'imagerie tel qu'une caméra.
(JA)  本開示は、光電変換部から浮遊拡散層への高い電荷転送効率を得ることができる固体撮像装置、製造方法、および電子機器に関する。 浮遊拡散層は、溝部が矩形状の縦型トランジスタのゲート電極を囲うように矩形状に配置されている。浮遊拡散層に隣接するようにリセットゲートを介してリセットドレインが形成され、リセットゲートに所定の電圧を印加することにより、浮遊拡散層の電位は、リセットドレインと同一の電位にリセットされる。本開示は、例えば、カメラなどの撮像装置に用いられるCMOS固体撮像装置に適用することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)