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1. (WO2016006318) STRUCTURE DE DISSIPATION THERMIQUE POUR RELAIS À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/006318    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/064026
Date de publication : 14.01.2016 Date de dépôt international : 15.05.2015
CIB :
H01L 23/427 (2006.01)
Déposants : YAZAKI CORPORATION [JP/JP]; 4-28, Mita 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1088333 (JP)
Inventeurs : KATO Hiroteru; (JP)
Mandataire : EIKOH PATENT FIRM, P.C.; Toranomon East Bldg. 10F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-141499 09.07.2014 JP
Titre (EN) HEAT DISSIPATION STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR RELAY
(FR) STRUCTURE DE DISSIPATION THERMIQUE POUR RELAIS À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体リレーの放熱構造
Abrégé : front page image
(EN)This heat dissipation structure (1) for a semiconductor relay comprises: a first busbar (20) to which a first terminal (source terminal (11a)) of a semiconductor relay is connected; a second busbar (30) to which a second terminal (drain terminal (11b)) of the semiconductor relay is connected; and a heat pipe (40) that is fixed by being sandwiched between the first busbar and second busbar with a thermally conductive insulation member therebetween. The heat pipe (40) transmits heat generated by the semiconductor relay from the location at which the heat pipe (40) is fixed by being sandwiched between the first busbar (20) and second busbar (30) toward another location.
(FR)Cette invention concerne une structure de dissipation thermique (1) pour un relais à semi-conducteur, comprenant : une première barre omnibus (20) à laquelle est connectée une première borne (borne de source (11a) d'un relais à semi-conducteur ; une seconde barre omnibus (30) à laquelle est connectée une seconde borne (borne de drain (11b)) du relais à semi-conducteur ; et un caloduc (40) qui est fixé en étant pris en sandwich entre la première barre omnibus et la seconde barre omnibus, un élément d'isolation thermiquement conducteur étant disposé entre celles-ci. Le caloduc (40) transmet la chaleur générée par le relais à semi-conducteur à partir de l'emplacement auquel le caloduc (40) est fixé en étant pris en sandwich entre la première barre omnibus (20) et la seconde barre omnibus (30) vers un autre emplacement.
(JA) 半導体リレーの放熱構造(1)は、半導体リレーの第1端子(ソース端子11a)が接続される第1バスバ(20)と、半導体リレーの第2端子(ドレイン端子11b)が接続される第2バスバ(30)と、熱伝導性の絶縁部材を介して第1バスバ及び第2バスバによって挟持固定されるヒートパイプ(40)と、を備える。ヒートパイプ(40)は、第1バスバ(20)及び第2バスバ(30)によって挟持固定された位置から他の位置に向けて半導体リレーの発生熱を伝達させる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)