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1. (WO2016004692) PROCEDE DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE MATRICE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/004692 N° de la demande internationale : PCT/CN2014/088589
Date de publication : 14.01.2016 Date de dépôt international : 14.10.2014
CIB :
H01L 21/77 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.[CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
HEFEI XINSHENG OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.[CN/CN]; Xinzhan Industrial Park Hefei City, Anhui 230011, CN
Inventeurs : WANG, Kai; CN
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road Haidian District Beijing 100080, CN
Données relatives à la priorité :
201410331516.411.07.2014CN
Titre (EN) ARRAY SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE MATRICE
(ZH) 阵列基板制备方法
Abrégé : front page image
(EN) An array substrate manufacturing method, comprising: forming an active layer (5) of a thin film transistor, and retaining a part of the thickness of photoresist (11) at the position of a channel region between source and drain electrodes (6) of the thin film transistor above the active layer (5); forming a source and drain metallic layer, and further forming source and drain electrodes (6); peeling off the part of the thickness of photoresist (11) in the channel region between the source and drain electrodes (6). The source and drain electrode etching process of the array substrate manufacturing method can avoid damaging a metallic oxide layer, reduce production cost, simplify the process, and improve the good product rate and product effectiveness.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat de matrice qui consiste à : former une couche active (5) d'un transistor en couches minces, et maintenir une partie de l'épaisseur d'une résine photosensible (11) au niveau de la position d'une région de canal entre des électrodes (6) de source et de drain du transistor en couches minces, au-dessus de la couche active (5) ; former une couche métallique de source et de drain, et former en outre des électrodes (6) de source et de drain ; décoller la partie d'épaisseur de résine photosensible (11) se situant dans la région de canal entre les électrodes (6) de source et de drain. Le procédé de gravure d'électrodes de source et de drain de ce procédé de fabrication de substrat de matrice permet d'éviter d'endommager une couche d'oxyde métallique, de réduire le coût de production, de simplifier le procédé et d'améliorer le taux de produits conformes ainsi que l'efficacité des produits.
(ZH) 一种阵列基板制备方法,包括:形成薄膜晶体管的有源层(5),其中保留有源层(5)上方所述薄膜晶体管的源漏电极(6)之间沟道区所对应位置的部分厚度的光刻胶(11);形成源漏金属层,并进一步形成源漏电极(6);将源漏电极(6)之间沟道区的部分厚度的光刻胶(11)剥离。该阵列基板制备方法在源漏电极刻蚀工艺中能够避免对金属氧化物层的破坏,并且降低生产成本,简化工艺,提高产品良率和产品效益。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)