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1. (WO2016004446) LASER À MICROPUCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/004446    N° de la demande internationale :    PCT/AT2015/000090
Date de publication : 14.01.2016 Date de dépôt international : 23.06.2015
CIB :
H01S 3/06 (2006.01), H01S 3/08 (2006.01), H01S 3/10 (2006.01), H01S 3/113 (2006.01), H01S 3/16 (2006.01), H01S 3/04 (2006.01), H01S 3/042 (2006.01)
Déposants : KOPF, Daniel [AT/AT]; (AT)
Inventeurs : KOPF, Daniel; (AT)
Mandataire : HOFMANN, Ralf; Hörnlingerstr. 3 Postfach 50 6830 Rankweil (AT)
Données relatives à la priorité :
A 543/2014 07.07.2014 AT
Titre (DE) MICROCHIP-LASER
(EN) MICROCHIP LASER
(FR) LASER À MICROPUCE
Abrégé : front page image
(DE)Ein Microchip-Laser umfasst einen monolithischen Resonator (1), der einen doppelbrechenden Laserkristall (2) aufweist, wobei ein aus dem Resonator (1) ausgekoppelter Laserstrahl (9), der eine Laserwellenlange aufweist, entlang einer Laserstrahlachse (12) aus dem Resonator (1) austritt und die auf die Richtung der Laserstrahlachse (12) bezogene Lange (L) des Resonators (1) kleiner als 150 μm ist. Der Laserkristall (2) weist eine derartige auf die Richtung der Laserstrahlachse (12) bezogene Dicke (D) auf, dass bei einem in Richtung der Laserstrahlachse (12) erfolgenden Einfall eines die Laserwellenlange aufweisenden Lichtstrahls (16) auf den Laserkristall (2) zwischen dem ordentlichen und dem auBerordentlichen Strahl (17, 19), in welche der Lichtstrahl (16) im Laserkristall (2) aufgeteilt wird, bei einem einzeinen Durchlauf durch den Laserkristall (2) eine Phasenverschiebung im Bereich von TT/2 +/- π/4 auftritt.
(EN)The invention relates to a microchip laser comprising a monolithic resonator (1) which has a birefringent laser crystal (2), wherein a laser beam (9) decoupled from the resonator, (1) which has a laser wavelength, exits the resonator (1) along a laser beam axis (12) and the length (L) of the resonator (1) is less than 150 μιτι based on the direction of the laser beam axis (12). The laser crystal (2) has a thickness (D) based on the direction of the laser beam axis (12) such that, in the case of a light beam (16) having the laser wavelength occurring in the direction of the laser beam axis (12) being incident on the laser crystal (2) between the ordinary and extraordinary beam (17, 19), in which the light beam (16) is divided in the laser crystal (2), a phase shift in the range of TT/2 +/- π/4 occurs in a single pass through the laser crystal (2).
(FR)L'invention concerne un laser à micropuce comprenant un résonateur (1) monolithique, qui présente un cristal laser (2) à double réfraction, un rayon laser (9), qui présente une longueur d'onde laser, découplé du résonateur (1), sortant du résonateur (1) le long d'un axe d'émission laser (12) et la longueur (L) du résonateur (1) par rapport à la direction de l'axe d'émission laser (12) étant inférieure à 150 μιτι. Le cristal laser (2) présente une épaisseur (D), par rapport à la direction de l'axe d'émission laser (12) telle que, dans le cas d'une incidence dans le sens de l'axe d'émission de laser (12) d'un rayon de lumière (16) présentant la longueur d'onde laser sur le cristal laser (2), un décalage de phases dans la plage de TT/2 +/- π/4 survienne entre le rayon ordinaire et le rayon extraordinaire (17, 19), dans lesquels le rayon de lumière (16) est divisé dans le cristal laser (2) lors d'un passage unique au travers du cristal laser (2).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)