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1. (WO2016004412) MÉMOIRE VIVE NON VOLATILE ET MÉMOIRE FLASH DANS UN DISPOSITIF MÉMOIRE NON VOLATILE À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/004412 N° de la demande internationale : PCT/US2015/039142
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 02.07.2015
CIB :
G06F 12/02 (2006.01) ,G06F 13/16 (2006.01) ,G06F 11/10 (2006.01)
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
12
Accès, adressage ou affectation dans des systèmes ou des architectures de mémoire
02
Adressage ou affectation; Réadressage
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
13
Interconnexion ou transfert d'information ou d'autres signaux entre mémoires, dispositifs d'entrée/sortie ou unités de traitement
14
Traitement de demandes d'interconnexion ou de transfert
16
pour l'accès au bus de mémoire
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
11
Détection d'erreurs; Correction d'erreurs; Contrôle de fonctionnement
07
Réaction à l'apparition d'un défaut, p.ex. tolérance de certains défauts
08
Détection ou correction d'erreur par introduction de redondance dans la représentation des données, p.ex. en utilisant des codes de contrôle
10
en ajoutant des chiffres binaires ou des symboles particuliers aux données exprimées suivant un code, p.ex. contrôle de parité, exclusion des 9 ou des 11
Déposants :
PURE STORAGE, INC. [US/US]; 650 Castro Street, Suite 400 Mountain view, California 94041, US
Inventeurs :
HAYES, John; US
GUPTA, Shantanu; US
DAVIS, John; US
GOLD, Brian; US
TAN, Zhangxi; US
Mandataire :
GENCARELLA, Michael; US
Données relatives à la priorité :
14/322,89102.07.2014US
Titre (EN) NON-VOLATILE RAM AND FLASH MEMORY IN A NON-VOLATILE SOLID-STATE STORAGE
(FR) MÉMOIRE VIVE NON VOLATILE ET MÉMOIRE FLASH DANS UN DISPOSITIF MÉMOIRE NON VOLATILE À SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé :
(EN) A non-volatile solid-state storage is provided. The non-volatile solid state storage includes a non-volatile random access memory (NVRAM) addressable by a processor external to the non-volatile solid state storage. The NVRAM is configured to store user data and metadata relating to the user data. The non-volatile solid state storage includes a flash memory addressable by the processor. The flash memory is configured to store the user data responsive to the processor directing transfer of the user data from the NVRAM to the flash memory.
(FR) La présente invention concerne un dispositif mémoire non volatile à semi-conducteurs. Le dispositif mémoire non volatile à semi-conducteurs comprend une mémoire vive non volatile (NVRAM) adressable par un processeur externe au dispositif mémoire non volatile à semi-conducteurs. La NVRAM est configurée de façon à mémoriser des données utilisateur et des métadonnées se rapportant aux données utilisateur. Le dispositif mémoire non volatile à semi-conducteurs comprend une mémoire flash adressable par le processeur. La mémoire flash est configurée de façon à mémoriser les données utilisateur en réponse au processeur qui ordonne un transfert des données utilisateur depuis la NVRAM vers la mémoire flash.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)