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1. (WO2016004374) DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES À ULTRAVIOLET
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/004374    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/039090
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 02.07.2015
CIB :
H01L 33/26 (2010.01), H01L 33/46 (2010.01)
Déposants : TRUSTEES OF BOSTON UNIVERSITY [US/US]; One Silber Way Boston, MA 02215 (US)
Inventeurs : BRUMMER, Gordon, C.; (US).
NOTHERN, Denis, M.; (US).
MOUSTAKAS, Theodore, D.; (US)
Mandataire : EISENSTEIN, Ronald, I.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/020,119 02.07.2014 US
Titre (EN) ULTRAVIOLET LIGHT EMITTING DIODES
(FR) DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES À ULTRAVIOLET
Abrégé : front page image
(EN)The invention provides ultraviolet (UV) light-emitting diodes (LEDs). The UV LEDs can comprise a base layer including p-type SiC or p-type AlGaN, an active layer, and an n-AlGaN layer, wherein the active layer is disposed between the base layer and the n-AlGaN layer. In some embodiments, the absorption losses in p-SiC can be decreased or prevented by incorporating a conductive AlGaN Distributed Bragg Reflector (DBR) between the p-type SiC layer and the active layer. In some embodiments, the n-AlGaN layer can be textured to increase the extraction efficiency (EE). In some embodiments, the external quantum efficiency of the LEDs can be 20 - 30% or more.
(FR)L'invention concerne des diodes électroluminescentes (DEL) à ultraviolet (UV). Les DEL à UV peuvent comprendre une couche de base comprenant du SiC de type P ou de l'AlGaN de type P, une couche active, et une couche de n-AlGaN, laquelle couche couche active est disposée entre la couche de base et la couche de n-AlGaN. Selon certains modes de réalisation, les pertes d'absorption dans le p-SiC peuvent être diminuées ou empêchées par l'incorporation d'un réflecteur de Bragg distribué (DBR) d'AlGaN conducteur entre la couche de SiC de type P et la couche active. Selon certains modes de réalisation, la couche de n-AlGaN peut être texturée pour augmenter l'efficacité d'extraction (EE). Selon certains modes de réalisation, le rendement quantique externe des DEL peut être de 20 à 30 % ou plus.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)