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1. (WO2016004261) POINTES PLASMONIQUES TRAITÉES PAR LOTS PRÉSENTANT UNE GRANDE AMÉLIORATION DE CHAMP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/004261    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/038916
Date de publication : 07.01.2016 Date de dépôt international : 01.07.2015
CIB :
H01L 21/306 (2006.01), G01Q 70/10 (2010.01), G01Q 70/16 (2010.01)
Déposants : MOLECULAR VISTA, INC. [US/US]; 6840 Via Del Oro Suite 110 San Jose, CA 95119 (US)
Inventeurs : PARK, Sung; (US).
KOCHTCHEEV, Serguei; (FR)
Mandataire : HAM, Thomas, H.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/019,565 01.07.2014 US
Titre (EN) BATCH PROCESSED PLASMONIC TIPS WITH LARGE FIELD ENHANCEMENT
(FR) POINTES PLASMONIQUES TRAITÉES PAR LOTS PRÉSENTANT UNE GRANDE AMÉLIORATION DE CHAMP
Abrégé : front page image
(EN)A method for batch fabricating solid metal nanocone tips with well-defined dielectric base material uses a mask layer on a substrate to form at least one inverted pyramid pit below each hole of the mask layer. Metal is then deposited through each hole of the mask layer to form a metal nanocone at a bottom tip of each inverted pyramid pit. A polymer pedestal is then formed that is at least partly within each inverted pyramid pit and attached to the metal nanocone at the bottom tip of that inverted pyramid pit.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation par lots de pointes de nanocônes métalliques solides avec un matériau de base diélectrique bien défini qui fait appel à une couche de masque sur un substrat pour former au moins un creux en pyramide inversée au-dessous de chaque trou de la couche de masque. Un métal est ensuite déposé à travers chaque trou de la couche de masque pour former un nanocône métallique au niveau d'une pointe inférieure de chaque creux en pyramide inversée. Un socle polymère est ensuite formé au moins en partie à l'intérieur de chaque creux en pyramide inversée et fixé au nanocône métallique au niveau de la pointe inférieure de ce creux en pyramide inversée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)